无码人妻久久一区二区三区蜜桃_日本高清视频WWW夜色资源_国产AV夜夜欢一区二区三区_深夜爽爽无遮无挡视频,男人扒女人添高潮视频,91手机在线视频,黄页网站男人的天,亚洲se2222在线观看,少妇一级婬片免费放真人,成人欧美一区在线视频在线观看_成人美女黄网站色大免费的_99久久精品一区二区三区_男女猛烈激情XX00免费视频_午夜福利麻豆国产精品_日韩精品一区二区亚洲AV_九九免费精品视频 ,性强烈的老熟女

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制...

若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連...

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù),。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體,。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次,。功率半導(dǎo)體在底部,，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽米控的skiip?,，已面市超過了10年,。這種無底板ipm系列產(chǎn)品的比較大額定電流是2400a，包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,，加上電流傳感器,、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上,，并在供貨前進(jìn)行***的測(cè)試,。 在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。常熟智能可控硅模塊量大從優(yōu)若保持接通A極或T2極時(shí)斷...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡(jiǎn)寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡(jiǎn)寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡(jiǎn)寫psoc)...

若欲使可控硅關(guān)斷,，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A,、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開通,，并保持一定幅度的流通電流 的話,，則可控硅會(huì)一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,，才能使其關(guān)斷,。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間,，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào),，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過零點(diǎn)到 來,，因無流通電流而自行關(guān)斷,。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也因 A,、 K 間電壓反向，而保持于截止?fàn)顟B(tài),。 可控硅器件因工藝上的離散性,，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降,，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),。可控硅器件控制本質(zhì)上如同三極管一樣,，為電流控制...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。張家港...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,?？煽毓鑿耐庑?..

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通,?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么,，在電壓過零時(shí),，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電...

2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好。?對(duì)于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極,，黑筆同時(shí)接G、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）,。然后將兩筆對(duì)調(diào),，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小。?按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連,，其引出端稱T1極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。單、雙向可控硅的判別先任測(cè)兩個(gè)極,，若正,、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A,、K或G,、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2,、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極，剩下即為A極,。若正,、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,，還有驅(qū)動(dòng)電路,。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,，如過電流和短路保護(hù),，驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測(cè)量等。 然而,，大部分智能功率模塊沒有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離,。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離,。 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。吳中區(qū)好的可控硅模塊銷售廠家測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極...

這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值,，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈,，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2],。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?..

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡(jiǎn)寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡(jiǎn)寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡(jiǎn)寫psoc)...

一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路（通過彈簧連接）的適配器板來進(jìn)行升級(jí),。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。 2,、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”,，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的**制造商,。skaitm模塊也是ipm,，其特點(diǎn)是集成了dsp控制器，除脈寬調(diào)制外,，還可進(jìn)行其它通信任務(wù),。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器，一個(gè)輔助電源,，精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器,。,。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)4、 觸發(fā)電壓V...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右,。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A,。A,、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通,、關(guān)斷的特性,。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅,，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件,。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出）,，所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極T1,，另一個(gè)叫做第二電極T2,。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)?..

一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm,?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路（通過彈簧連接）的適配器板來進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品,。 2,、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模塊中,。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的**制造商,。skaitm模塊也是ipm，其特點(diǎn)是集成了dsp控制器,，除脈寬調(diào)制外,，還可進(jìn)行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,，一個(gè)輔助電源,，精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器。,。反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。張...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [...

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱,。可控硅有單向,、雙向,、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小,、重量輕,、效率高、壽命長(zhǎng),、控制方便等優(yōu)點(diǎn),，被***用于可控整流、調(diào)壓,、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合,。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,，但一旦導(dǎo)通,，外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷,。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比,，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比,，差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒有放大作用,。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文...

用R×1k或R×10k擋測(cè)陽極和控制極之間的電阻,，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,。用R×1k或R×100擋,，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬用表選電阻R×1擋,，將黑表筆接陽極,，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng),，黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí),，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞?？煽毓鑿耐庑紊戏诸?..

用R×1k或R×10k擋測(cè)陽極和控制極之間的電阻,，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬用表選電阻R×1擋,，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極,，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,，陰極接紅表筆時(shí),，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控...

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí),，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動(dòng)作...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、B...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。相城區(qū)新...

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后,，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,，使陽極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),，由**外層的 P 層,、N 層引出兩個(gè)電極――陽 極 A 和陰極 K,，由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號(hào)好像為一只二極管,，但好多一個(gè)引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G,。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于...

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示,。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通，這時(shí)的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大,，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通，這時(shí)的電流為I12,，其方向是...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA,，JX ，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...