額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,,如表1一5所示,。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標志,,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,,用宇毋表示,,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,,有三個電極,,用硅半導體材料制成的管芯由這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,,因此特別適合做交流無觸點開關使用,。張家港使用可控硅模塊私人定做
電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。首先,,可以把從陰極向上數的***、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,,又在控制極G和陰極C之間(相當BG1的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,,BG1將產生基極電流Ib1,經放大,,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2,。張家港使用可控硅模塊私人定做晶閘管導通后,,松開按鈕開關,去掉觸發(fā)電壓,,仍然維持導通狀態(tài),。
用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,。用R×1k或R×100擋,,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極和陰極之間的PN結已經損壞,。反向阻值應很大,,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬用表選電阻R×1擋,,將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,,此時萬用表指針應不動,。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,,陰極接紅表筆時,,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞,。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,,就可以構成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,,在正弦交流電壓U2的正半周期間,,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,,晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形(c)及(d),,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過陰極和陽極的電流平均值。
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,,二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態(tài),。另外,,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,,可控硅仍然導通,。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于**小維持電流以下,。單向可控硅為具有三個 PN 結的四層結構,,由**外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,,由中間的 P 層引出控制極 G,。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G,。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱,。體積小、重量輕,、結構緊湊,、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝;常熟應用可控硅模塊私人定做
它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。張家港使用可控硅模塊私人定做
測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) [1],??刂茦O與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,,反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,,可以有比較大的電流通過,因此,,有時測得控制極反向電阻比較小,,并不能說明控制極特性不好。另外,,在測量控制極正反向電阻時,,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿,。張家港使用可控硅模塊私人定做
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