⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。高新區(qū)質(zhì)量可控硅模塊量大從優(yōu)

這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè),。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極、K為負(fù)極,，所以,，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正,、反向電阻,，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的。吳江區(qū)好的可控硅模塊現(xiàn)價(jià)可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡(jiǎn)寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡(jiǎn)寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡(jiǎn)寫psoc)，它能把傳感器件與電路,、信號(hào)處理電路,、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱,、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國(guó)際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**,。

1、智能功率模塊（ipms）  智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,，還有驅(qū)動(dòng)電路,。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻,。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能，如過(guò)電流和短路保護(hù),，驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測(cè)量等,。  然而，大部分智能功率模塊沒(méi)有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離,。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離,。  按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。

雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅,。**型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E,、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),，如：反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。高新區(qū)質(zhì)量可控硅模塊量大從優(yōu)

額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。高新區(qū)質(zhì)量可控硅模塊量大從優(yōu)

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過(guò)10V,，峰值觸發(fā)電流也不宜超過(guò) 2A,。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1],。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通,、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件,。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)極和陰極,，而是把與控制極相近的叫做***電極T1,，另一個(gè)叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低,。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí),，硅片在各層中的載流子還沒(méi)有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施,。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,，如溫度控制、燈光控制,、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路,。高新區(qū)質(zhì)量可控硅模塊量大從優(yōu)

傳承電子科技(江蘇)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績(jī)讓我們喜悅,，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境,，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力,，傳承電子科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái),，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍,，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,，要不畏困難,，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來(lái),！