BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。控制極的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷,。虎丘區(qū)新型可控硅模塊量大從優(yōu)

雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅,。**型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E,、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),，如：虎丘區(qū)應(yīng)用可控硅模塊廠(chǎng)家現(xiàn)貨它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。

若欲使可控硅關(guān)斷,，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值,；2） 使 A、K 之間電壓反向,?？梢?jiàn)，可控硅器件若用于直流電路,，一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通,，并保持一定幅度的流通電流 的話(huà)，則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài),。除非將電源開(kāi)斷一次,，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,，則在其承受正向電壓期間,，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，則一直保持導(dǎo)通,，直到電壓過(guò)零點(diǎn)到 來(lái),，因無(wú)流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,，即使送入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也因 A、 K 間電壓反向,，而保持于截止?fàn)顟B(tài),。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓,、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降,，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣,，為電流控制器件,。功率越大,，所需觸發(fā)電流也 越大。

1,、智能功率模塊（ipms）  智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,，還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻,。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,，如過(guò)電流和短路保護(hù),，驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線(xiàn)電壓測(cè)量等。  然而,，大部分智能功率模塊沒(méi)有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離,。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離,。  大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

主要廠(chǎng)家品牌：ST,，NXP/PHILIPS，NEC,，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA,，JX ，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。常熟本地可控硅模塊私人定做

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控**丘區(qū)新型可控硅模塊量大從優(yōu)

用R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極和控制極之間的電阻,，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大,。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬(wàn)用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽(yáng)極,，紅表筆仍接陰極,，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽(yáng)極接黑表筆,，陰極接紅表筆時(shí),，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞,?；⑶饏^(qū)新型可控硅模塊量大從優(yōu)

傳承電子科技(江蘇)有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己,，要求自己,，不斷創(chuàng)新,，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng),、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度,，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同傳承電子科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品,，我們將以更好的狀態(tài),，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿(mǎn)的精力去創(chuàng)造,，去拼搏，去努力,，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng),！