IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進行保護的電路。盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;虎丘區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

90年代中期,，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT,，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu),。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變,，先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu),，繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善,。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進到非穿通(NPT)型技術(shù),，是**基本的，也是很重大的概念變化,。這就是：穿通(PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù),，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。姑蘇區(qū)智能IGBT模塊現(xiàn)價一是防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別,。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小,，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化,。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20khz）,，這兩點非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝,、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關(guān)斷期間,，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此,，比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極,。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。

IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,，但明顯高于GTR,。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加,。IGBT的開啟電壓約3～4V,，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低,。正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限,，遠遠不能滿足電力電子應用技術(shù)發(fā)展的需求,，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。姑蘇區(qū)智能IGBT模塊現(xiàn)價

開關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,?；⑶饏^(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯(lián)以減小電感,。2、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅(qū)動效果,，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。,。虎丘區(qū)本地IGBT模塊量大從優(yōu)

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