可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓,，二是控制極也要加正向電壓,。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài),。另外,，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,，可控硅仍然導(dǎo)通,。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓，使陽(yáng)極電流小于**小維持電流以下,。單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),，由**外層的 P 層、N 層引出兩個(gè)電極――陽(yáng) 極 A 和陰極 K,，由中間的 P 層引出控制極 G,。電路符號(hào)好像為一只二極管，但好多一個(gè)引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G,。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱,。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。姑蘇區(qū)使用可控硅模塊哪里買

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí),，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示,。蘇州智能可控硅模塊現(xiàn)價(jià)可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小。 [1]

單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）,、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。?1、單,、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極,，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極，剩下即為A極,。若正,、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。?在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。

電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。姑蘇區(qū)應(yīng)用可控硅模塊哪里買

體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好,、便于維修和安裝；姑蘇區(qū)使用可控硅模塊哪里買

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。姑蘇區(qū)使用可控硅模塊哪里買

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