⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。江蘇新型可控硅模塊私人定做

雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2,， 一個門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性,。雙向可控硅門極加正,、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,，需定量掌握其主要參數(shù)，對雙向可控硅進行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達到各參數(shù)的要求,。 [1]·耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允許的操作過電壓裕量,。 [1]張家港好的可控硅模塊廠家現(xiàn)貨按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。

若保持接通A極或T2極時斷開G極,，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅,，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅,，否則說明可控硅損壞,。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟,，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的,。否則說明該器件已損壞 [2],。對可控硅的引腳區(qū)分，有的可從外形封裝加以判別,，如外殼就為陽極,，陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,，可用萬用表R×100或R×1K擋,，測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當(dāng)萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時,，黑表筆所接的是控制極G,，紅表筆所接的是陰極K,，余下的一只管腳為陽極A,。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多。

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形,。太倉新型可控硅模塊量大從優(yōu)

可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。江蘇新型可控硅模塊私人定做

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個方面進行,。***是三個PN結(jié)應(yīng)完好,；第二是當(dāng)陰極和陽極間電壓反向連接時能夠阻斷，不導(dǎo)通,；第三是當(dāng)控制極開路時,，陽極和陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通；第四是給控制極加上正向電流,，給陰極和陽極加正向電壓時,，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉,，仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進行判斷,。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極和陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓）,，此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,，表明正反向漏電電流愈小,。如果測得的阻值很低，或近于無窮大,，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,，此可控硅不能使用了,。江蘇新型可控硅模塊私人定做

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