半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷,。近年來(lái),，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線(xiàn)光刻膠已形成一定規(guī)模的銷(xiāo)售,，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶(hù)驗(yàn)證,，有望在未來(lái)形成銷(xiāo)售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以?xún)?nèi)，無(wú)法囤貨,，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯,。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。江蘇LCD觸摸屏用光刻膠

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí),。與此同時(shí),，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散,，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡,，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹(shù)脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上,；接著,，光刻膠不能在浸沒(méi)液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過(guò)程中發(fā)生形變，影響加工精度,；當(dāng)浸沒(méi)工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí),，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒(méi) ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。嘉定光分解型光刻膠顯影金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過(guò)程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí)，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力,，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻,。

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù),、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等,。同時(shí)，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求,。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料、樹(shù)脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合,，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢瑁蛊涑浞只旌闲纬删嘁后w,，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾,，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn)，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn),，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝、打標(biāo),、入庫(kù),。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電,、上海新陽(yáng)、北京科華等,。相關(guān)企業(yè)以i 線(xiàn),、g線(xiàn)光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段,。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，目前主要技術(shù)主要掌握在日、美等國(guó)際大公司手中,，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。江蘇ArF光刻膠

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線(xiàn)光刻膠、i線(xiàn)光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。江蘇LCD觸摸屏用光刻膠

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng),，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái),，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后,，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽,。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起,。然后,，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁,。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅,。江蘇LCD觸摸屏用光刻膠

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