日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化是必然趨勢,；2019年7月份，在日韓貿(mào)易爭端的背景下,，日本宣布對韓國實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn),，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國是全球存儲器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地，也是全球晶圓代工基地,，三星,，海力士，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導(dǎo)體材料,。這三種材料直接掐斷了韓國存儲器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè)，目前主要技術(shù)主要掌握在日,、美等國際大公司手中,，全球供應(yīng)市場高度集中。上海黑色光刻膠單體

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球,。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大,。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%,，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%,，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約10%,。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口,，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟,，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢,。嘉定TFT-LCD正性光刻膠印刷電路板光刻膠達(dá)到下游客戶要求的技術(shù)指標(biāo)后，還需要進(jìn)行較長時(shí)間驗(yàn)證測試（1-3 年）,。

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中,，一般要對硅片進(jìn)行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預(yù)烘,、涂膠,、前烘、對準(zhǔn),、曝光,、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響,。在選擇光刻膠時(shí)需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時(shí)間,、敏感度和穩(wěn)定性等因素,，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。

美國能源部布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng),，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來,，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無機(jī)光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后,，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽,。這個(gè)蒸汽通過PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起,。然后,，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁,。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅,。光刻膠市場 ArF 與 KrF 占據(jù)主流，EUV 增長較快,。昆山顯示面板光刻膠光致抗蝕劑

彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局,，國內(nèi)企業(yè)有雅克科技,、飛凱材料、彤程新材等,。上海黑色光刻膠單體

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng),，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射,，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm），因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束,，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光,。上海黑色光刻膠單體

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