光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中,，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時,，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性,、負性兩大類,。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光,、顯影后,，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來,，該涂層材料為正性光刻膠,。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負性光刻膠,。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負性光刻膠）,、深紫外光刻膠、X-射線膠,、電子束膠,、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細微圖形加工作業(yè) ,。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中,，對所使用光刻膠有嚴格的要求,。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。華東ArF光刻膠曝光

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高,，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元,，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣,，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計未來5年年均增速約10%,。以前,，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯,，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢,。浦東干膜光刻膠集成電路材料光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系,，市場新進入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競爭，簽約新客戶的難度高,。

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家,，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場份額達到72%,，市場集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細分領(lǐng)域,，日本廠商在市場中具有較強話語權(quán),。（1）g/i線光刻膠市場：日本的東京應(yīng)化、JSR,、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%,、15%,、15%、8%的份額,，在全球市場占據(jù)64%份額,。（2）KrF光刻膠市場：日本企業(yè)東京應(yīng)化、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細分市場分別占據(jù)34%,、22%和18%份額,，合計占比達到74%。（3）ArF光刻膠市場：日本企業(yè)JSR,、信越化學(xué),、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細分市場25%,、23%,、20%和15%市場份額，合計市場份額達到83%,。（4）EUV光刻膠市場：較先進的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo),，日本JSR、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場可實現(xiàn)量產(chǎn)的廠商,。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺積電兩家公司。

通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高,，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需,。如果沒有規(guī)模效益，供應(yīng)商就無法承擔(dān)滿足多樣化需求帶來的開銷,。因此,，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘。同時,，一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,，對生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理,。制備微電子化學(xué)品還需要全封閉,、自動化的工藝流程，以避免污染,，提高質(zhì)量,。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn),、環(huán)保設(shè)備,、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高,。如果沒有強大的資金實力,，企業(yè)就難以在設(shè)備,、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力,。因此,，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用,。

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開,，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中,，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵,，量少了會導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量,。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求。相對靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言,，動態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進行**初的擴散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜,。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。浙江LCD觸摸屏用光刻膠單體

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。華東ArF光刻膠曝光

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率,。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進行第二次光刻,，以提高加工分辨率,。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進行了兩次涂膠,，兩次光刻和兩次刻蝕,。隨著光刻膠技術(shù)的進步，只需要一次涂膠,，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能,。華東ArF光刻膠曝光

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