在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流,。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中，樹脂是具有化學(xué)基團保護因而難以溶解的聚乙烯,?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸,。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時具有高對比度,，對高分辨率等優(yōu)點,。按照曝光波長分類；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）,、深紫外光刻膠（160~280nm）,、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）,、電子束光刻膠,、離子束光刻膠、X射線光刻膠等,。不同曝光波長的光刻膠,，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說,，在使用工藝方法一致的情況下,，波長越短，加工分辨率越佳,。中國半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。嘉定ArF光刻膠單體
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕,、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強的黏結(jié)能力,。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋,。 上海正性光刻膠單**色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導(dǎo)的格局,，國內(nèi)企業(yè)有雅克科技,、飛凱材料、彤程新材等,。
g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時,，進一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去,。由此,，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作。
包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強,、產(chǎn)品更新快等特點，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此,，下游企業(yè)對微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認(rèn)證采購的模式,，需要通過送樣檢驗,、技術(shù)研討、信息回饋,、技術(shù)改進,、小批試做、大批量供貨,、售后服務(wù)評價等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時間久，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長的時間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高，認(rèn)證周期能達到2-3年時間,；認(rèn)證階段內(nèi),，光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會輕易更換,。通過建立反饋機制,，滿足個性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加,。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對新進入者壁壘較高,。在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等,。
浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級,。與此同時,，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴散,，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡,，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上,；接著,，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度,；當(dāng)浸沒工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時,，將對于光刻膠多個性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠,、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠，技術(shù)門檻逐漸遞增,。昆山干膜光刻膠其他助劑
按曝光波長可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠,、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。嘉定ArF光刻膠單體
半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦,，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來,，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證，有望在未來形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi),，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯,。嘉定ArF光刻膠單體
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