光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn),，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,，由于基板不同、分辨率要求不同,、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過(guò)程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求,。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此,，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商重要的技術(shù),。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。浙江干膜光刻膠顯影

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠,。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來(lái)說(shuō),，橡膠具有較好的耐腐蝕性,，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上,，因此溶解性甚低,，無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難。因此無(wú)法直接采用橡膠為原料配制光刻膠,。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,，又稱架橋劑，可以起到光化學(xué)固化作用,，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng),，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹(shù)脂相作用,，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵,，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。江浙滬g線光刻膠光致抗蝕劑從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽(yáng),、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華,、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國(guó)家02專項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì),；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭(zhēng)端的背景下，日本宣布對(duì)韓國(guó)實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn),，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地，三星,，海力士,，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導(dǎo)體材料。這三種材料直接掐斷了韓國(guó)存儲(chǔ)器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱,。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料,，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì),。光刻膠的研發(fā)是不斷進(jìn)行配方調(diào)試的過(guò)程,，且難以通過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方，這對(duì)技術(shù)有很大的要求,。

在CAR技術(shù)體系中,，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過(guò)曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產(chǎn)生酸,。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下,，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑,。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過(guò)程中消耗而是作為催化劑而存在,，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,，因此加強(qiáng)了光刻的效率。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。目前,，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。普陀干膜光刻膠樹(shù)脂

光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。浙江干膜光刻膠顯影

浸沒(méi)光刻：在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒(méi)光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長(zhǎng)變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過(guò)兩次光刻使得加工分辨率翻倍,。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的一種方法是在開(kāi)始光刻過(guò)后平移同一個(gè)光罩進(jìn)行第二次光刻,，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個(gè)過(guò)程,。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠,，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步,，只需要一次涂膠,，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。浙江干膜光刻膠顯影

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