離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫(xiě)光刻技術(shù)類(lèi)似,，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫(xiě)。離子束的散射沒(méi)有電子束那么強(qiáng),，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡(jiǎn)單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金,，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場(chǎng)使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm）,，因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光,。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面,。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合,，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾,，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn),，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝,、打標(biāo)、入庫(kù),。嘉定LCD觸摸屏用光刻膠其他助劑有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分，對(duì)光刻膠的感光度,、分辨率起著決定性作用,。2）感光樹(shù)脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構(gòu)成光刻膠的骨架,，決定光刻膠的硬度,、柔韌性、附著力等基本屬性,。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分,，目的是使光刻膠處于液態(tài),，但溶劑本身對(duì)光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無(wú)影響。4）助劑：通常是專(zhuān)有化合物,，主要用來(lái)改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì),。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠,、LCD光刻膠和PCB光刻膠,，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程來(lái)看,，PCB光刻膠目前國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度較快,，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對(duì)較快，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)技術(shù)較國(guó)外先進(jìn)技術(shù)差距比較大,。

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份,、南大光電、上海新陽(yáng),、北京科華等,。相關(guān)企業(yè)以i 線(xiàn)、g線(xiàn)光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華,、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國(guó)家02專(zhuān)項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹(shù)脂、單體,、溶劑和其他助劑,。

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射,，在兩次曝光過(guò)程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過(guò)光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光,。從這個(gè)例子可以看出，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡,。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小,，對(duì)應(yīng)的光刻圖形越小,。昆山ArF光刻膠樹(shù)脂

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要  ,。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光，正膠較慢,，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍  ,。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的,。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體,。同時(shí)，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間,，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo),，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高。i線(xiàn)光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線(xiàn)上,。普陀干膜光刻膠光引發(fā)劑

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