光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn),，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,，由于基板不同、分辨率要求不同,、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過(guò)程,，不同的廠商也會(huì)有不同的要求,。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多,，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn),。因此，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方,，滿足差異化的應(yīng)用需求,，是光刻膠制造商重要的技術(shù)。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,，現(xiàn)已用于集成電路,、顯示、PCB 等領(lǐng)域,，是光刻工藝的重要材料,。昆山PCB光刻膠光致抗蝕劑

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射,，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn),。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上,，量子的不確定性效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn)，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn),。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來(lái)的 EUV 光刻時(shí)代,，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉?lái)技術(shù)變革,。光聚合型光刻膠光引發(fā)劑經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累,，國(guó)內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能，國(guó)內(nèi)公司市場(chǎng)份額逐步提升,，國(guó)產(chǎn)替代正在進(jìn)行,。

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法,。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi),，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中,，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分,。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求,。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行**初的擴(kuò)散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此很早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源,。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來(lái),。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。

在雙重曝光工藝中,，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程,。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射，在兩次曝光過(guò)程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過(guò)光刻膠的曝光閾值E0,，而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng)。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光,。從這個(gè)例子可以看出，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡,。有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn)，在可加工性,、抗蝕刻性,、極紫外光吸收具有優(yōu)勢(shì)。華東顯示面板光刻膠顯影

光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng),，經(jīng)曝光,、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上,。昆山PCB光刻膠光致抗蝕劑

光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近期數(shù)據(jù),，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價(jià)值占比5%,，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計(jì)占比12%,，光刻膠及輔助材料是繼硅片,、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是指通過(guò)紫外光,、電子束、離子束,、X射線等照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路加工制作環(huán)節(jié),。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）,、感光樹(shù)脂（聚合劑）,、溶劑與助劑構(gòu)成,。昆山PCB光刻膠光致抗蝕劑

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