中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。嘉定彩色光刻膠集成電路材料

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘、曝光,、曝光后烘烤,、顯影、堅(jiān)膜烘烤、顯影檢查等工序,。在光刻過(guò)程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過(guò)曝光,、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%,，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝,。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加,。從全球市場(chǎng)來(lái)看,，專注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%,，達(dá)到19億美元,。浦東ArF光刻膠樹(shù)脂目前，我國(guó)光刻膠自給率較低,，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,，國(guó)產(chǎn)替代的空間廣闊。

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。從化學(xué)組成來(lái)看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來(lái)光刻領(lǐng)域的進(jìn)展,。由于目前可供利用的光學(xué)材料無(wú)法很好支持波長(zhǎng)13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長(zhǎng)為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進(jìn),。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長(zhǎng)尺度上，量子的不確定性效應(yīng)開(kāi)始顯現(xiàn),，為相應(yīng)光源,，光罩和光刻膠的設(shè)計(jì)和使用帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn),。目前 EUV 光刻機(jī)只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應(yīng)的技術(shù)細(xì)節(jié)尚不為外界所知,。在即將到來(lái)的 EUV 光刻時(shí)代,，業(yè)界預(yù)期已經(jīng)流行長(zhǎng)達(dá) 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉?lái)技術(shù)變革,。光刻膠行業(yè)日系企業(yè)實(shí)力雄厚,，國(guó)內(nèi)廠商有望復(fù)刻成功經(jīng)驗(yàn)。

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開(kāi)始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開(kāi)始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長(zhǎng)更短,，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開(kāi)始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無(wú)法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等,。嘉定彩色光刻膠集成電路材料

按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。嘉定彩色光刻膠集成電路材料

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分,，對(duì)光刻膠的感光度,、分辨率起著決定性作用。2）感光樹(shù)脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起,，構(gòu)成光刻膠的骨架,，決定光刻膠的硬度、柔韌性,、附著力等基本屬性,。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分,，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對(duì)光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無(wú)影響,。4）助劑：通常是專有化合物,，主要用來(lái)改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠,、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）,。從國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程來(lái)看,，PCB光刻膠目前國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度較快，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對(duì)較快,，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)技術(shù)較國(guó)外先進(jìn)技術(shù)差距比較大,。嘉定彩色光刻膠集成電路材料

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