抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護電路圖形的能力,，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻,。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,，現(xiàn)已用于集成電路、顯示,、PCB 等領(lǐng)域,，是光刻工藝的重要材料。普陀光聚合型光刻膠顯影

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù),、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等,。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強的配套能力,，以及時研發(fā)和改進產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求,。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級的黃光區(qū)潔凈房進行混合,，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過多次過濾,，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗,，合格后在氮氣氣體保護下包裝、打標(biāo),、入庫,。江蘇干膜光刻膠印刷電路板目前，我國光刻膠自給率較低,，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品,，國產(chǎn)替代的空間廣闊。

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球,。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大,。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元,，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣,，年復(fù)合增速為9.8%，預(yù)計未來5年年均增速約10%,。以前,，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯,，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢,。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué),、住友化學(xué),、東京應(yīng)化、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平板顯示器,、PCB等領(lǐng)域。伴隨消費升級,、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對半導(dǎo)體、平板顯示和PCB制造提出愈加精細化的要求,，將帶動光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展,。 光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘、涂膠、前烘,、對準,、曝光、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,，市場巨大。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。普陀光交聯(lián)型光刻膠印刷電路板

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。普陀光聚合型光刻膠顯影

半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場高度壟斷,。近年來，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證,，有望在未來形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi),，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴重局面，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。普陀光聚合型光刻膠顯影

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