按顯示效果分類,；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩（掩膜版）相反,；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,，區(qū)別在于主要原材料不同,。

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,；光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基,，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,，生成聚合物；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下,，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用,，可以制成負(fù)性光刻膠,。 光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè),。浙江光分解型光刻膠光致抗蝕劑

在CAR技術(shù)體系中，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸,。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑,。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強(qiáng)了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右,。蘇州彩色光刻膠顯影光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系，市場(chǎng)新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng),，簽約新客戶的難度高,。

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn),，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,，同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中需要進(jìn)行10-50道光刻過程,，由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,，不同的光刻過程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求,。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求,，光刻膠的品種非常多,，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實(shí)現(xiàn)。因此,，通過調(diào)整光刻膠的配方,，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商重要的技術(shù),。

X射線對(duì)物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束,，X射線曝光時(shí)，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng),，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上,。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵(lì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離,，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶,。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別  ,，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ,，X射線光刻膠的分辨率十分高,，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ，負(fù)膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯,。光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下,，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開,，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu),。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠,、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物,，對(duì)二氧化硅,、鋁,、氧化鉻等材料都有良好的附著力,，耐氫氟酸、磷酸腐蝕,；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響,，無須氮?dú)獗Ｗo(hù)，分辨率1 μm左右,，靈敏度較前者膠高1倍,，黏附性好,，抗蝕能力強(qiáng)，圖形清晰,、線條整齊,，耐熱性好，顯影后可在190℃堅(jiān)膜0.5 h不變質(zhì),，感光范圍在250~475 nm,，特別對(duì)436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物,；第三種膠能溶于酮類,、烷烴等溶劑，不溶于水,、乙醇等,。有較好的黏附性和感光性 ，分辨率也很高,，感光速度快,。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。江浙滬光分解型光刻膠顯示面板材料

光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料,，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域,。浙江光分解型光刻膠光致抗蝕劑

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長(zhǎng)更短,，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。浙江光分解型光刻膠光致抗蝕劑