環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類(lèi)——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的,。一般來(lái)說(shuō)，橡膠具有較好的耐腐蝕性,，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬(wàn)以上，因此溶解性甚低,，無(wú)論在光刻膠的配制還是顯影過(guò)程中都有很大困難。因此無(wú)法直接采用橡膠為原料配制光刻膠,。這一類(lèi)光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,，又稱(chēng)架橋劑，可以起到光化學(xué)固化作用,，依賴(lài)于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng),，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類(lèi)樹(shù)脂相作用,，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵,，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。目前,，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。浦東半導(dǎo)體光刻膠溶劑

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分,，對(duì)光刻膠的感光度,、分辨率起著決定性作用。2）感光樹(shù)脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起,，構(gòu)成光刻膠的骨架,，決定光刻膠的硬度、柔韌性,、附著力等基本屬性,。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài),，但溶劑本身對(duì)光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無(wú)影響,。4）助劑：通常是專(zhuān)有化合物，主要用來(lái)改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì),。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠,，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）,。從國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程來(lái)看，PCB光刻膠目前國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度較快,，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對(duì)較快,，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)技術(shù)較國(guó)外先進(jìn)技術(shù)差距比較大。普陀正性光刻膠溶劑光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。

黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕,、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力,。

表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋,。

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移,，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí),，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期,，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn),，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距,，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下,，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對(duì)光刻膠足夠的重視,，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家學(xué)習(xí),，努力開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)異的國(guó)產(chǎn)光刻膠，使我國(guó)在未來(lái)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地,。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，目前主要技術(shù)主要掌握在日、美等國(guó)際大公司手中,，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠,、KrF光刻膠、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過(guò)程中,，一般要對(duì)硅片進(jìn)行超過(guò)十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過(guò)預(yù)烘,、涂膠、前烘,、對(duì)準(zhǔn),、曝光、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場(chǎng)巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。普陀LCD觸摸屏用光刻膠溶劑

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。浦東半導(dǎo)體光刻膠溶劑

從90年代后半期開(kāi)始，光刻光源就開(kāi)始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開(kāi)始,，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長(zhǎng)的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠,，使用較多的光刻光源。一般而言,，KrF（248nm）光刻膠使用聚對(duì)羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹(shù)脂,，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物,，環(huán)烯烴-馬來(lái)酸酐共聚物,，環(huán)形聚合物等作為成膜樹(shù)脂；由于化學(xué)結(jié)構(gòu)上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑,。浦東半導(dǎo)體光刻膠溶劑