抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí)，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力,，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用，器件的電路性能受阻,。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件,。光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料

在CAR技術(shù)體系中，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸,。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑,。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強(qiáng)了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右,。華東濕膜光刻膠印刷電路板按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會(huì)接受到相對(duì)少量的光刻輻射,，在兩次曝光過程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯(cuò)誤的光刻反應(yīng),。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個(gè)例子可以看出,，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡。

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光,、電子束、離子束,、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類有正性,、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過程中,，涂層曝光,、顯影后，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來,，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）,、深紫外光刻膠、X-射線膠,、電子束膠、離子束膠等,。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,，品種規(guī)格較多,，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求,。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面,。

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會(huì)打開,，產(chǎn)生自由基,，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠,、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等,。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對(duì)二氧化硅,、鋁,、氧化鉻等材料都有良好的附著力，耐氫氟酸,、磷酸腐蝕,；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無須氮?dú)獗Ｗo(hù),，分辨率1 μm左右,，靈敏度較前者膠高1倍，黏附性好,，抗蝕能力強(qiáng),，圖形清晰、線條整齊,，耐熱性好,，顯影后可在190℃堅(jiān)膜0.5 h不變質(zhì)，感光范圍在250~475 nm,，特別對(duì)436 nm十分敏感,，屬線型高分子聚合物；第三種膠能溶于酮類,、烷烴等溶劑,，不溶于水,、乙醇等。有較好的黏附性和感光性 ,，分辨率也很高,，感光速度快。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系,，市場(chǎng)新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng),，簽約新客戶的難度高。華東PCB光刻膠

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開始采用365nm波長(zhǎng)光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來,。光交聯(lián)型光刻膠顯示面板材料