隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí),、亞微米級(jí),、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì),，對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA,。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個(gè)相關(guān)系數(shù),；λ是曝光波長(zhǎng),，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機(jī)的孔徑數(shù)值。因此,，光刻機(jī)需要通過(guò)降低瑞利常數(shù)和曝光波長(zhǎng),，增大孔徑尺寸來(lái)制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長(zhǎng)與光刻機(jī)使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān),。光刻膠達(dá)到下游客戶(hù)要求的技術(shù)指標(biāo)后,，還需要進(jìn)行較長(zhǎng)時(shí)間驗(yàn)證測(cè)試（1-3 年）。ArF光刻膠單體
受制于國(guó)內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平,，目前我國(guó)前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管?chē)?guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持良好的增長(zhǎng)趨勢(shì)，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小,，前沿光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷。從技術(shù)水平來(lái)看,，目前中國(guó)本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平存在明顯差距,，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域,，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低,。具體而言，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%,，對(duì)于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。江浙滬光刻膠顯影光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。
根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額,。其中日本占有四家，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料，這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%,，市場(chǎng)集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域，日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語(yǔ)權(quán),。（1）g/i線光刻膠市場(chǎng)：日本的東京應(yīng)化,、JSR、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%,、15%,、15%、8%的份額,，在全球市場(chǎng)占據(jù)64%份額,。（2）KrF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)東京應(yīng)化、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分別占據(jù)34%,、22%和18%份額,，合計(jì)占比達(dá)到74%。（3）ArF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)JSR,、信越化學(xué),、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)25%,、23%,、20%和15%市場(chǎng)份額，合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到83%,。（4）EUV光刻膠市場(chǎng)：較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo),，日本JSR、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商,。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺(tái)積電兩家公司。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結(jié)晶,，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán)，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物。光刻膠市場(chǎng) ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長(zhǎng)較快,。
g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹(shù)脂主體，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí)，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去,。由此，曝光過(guò)的光刻膠會(huì)溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類(lèi)似，但是其樹(shù)脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。光刻膠只是一種形象的說(shuō)法,，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。江浙滬ArF光刻膠樹(shù)脂
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同,，光刻膠可分為 PCB 光刻膠,、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠，技術(shù)門(mén)檻逐漸遞增,。ArF光刻膠單體
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué),、住友化學(xué),、東京應(yīng)化、美國(guó)陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國(guó)本土企業(yè)在光刻膠市場(chǎng)的份額較低,，與國(guó)外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。
光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平板顯示器,、PCB等領(lǐng)域。伴隨消費(fèi)升級(jí),、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求,，將帶動(dòng)光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展,。 ArF光刻膠單體