光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù),、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等,。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個(gè)性化需求,。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料,、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合,，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾,，并通過中間過程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn),，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝,、打標(biāo)、入庫,。光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域,。嘉定負(fù)性光刻膠顯影

目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽、北京科華等,。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上,。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國家02專項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗(yàn)證的國產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段,。江蘇i線光刻膠顯示面板材料光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下,，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí)。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求,。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上,；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變,，影響加工精度,；當(dāng)浸沒工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí)，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠,，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一。

從90年代后半期開始,，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源,。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源,。一般而言,，KrF（248nm）光刻膠使用聚對(duì)羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑,；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物,，環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物，環(huán)形聚合物等作為成膜樹脂,；由于化學(xué)結(jié)構(gòu)上的原因,，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑。目前,，我國光刻膠自給率較低,，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品，國產(chǎn)替代的空間廣闊,。

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分,，對(duì)光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用,。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起,，構(gòu)成光刻膠的骨架,，決定光刻膠的硬度、柔韌性,、附著力等基本屬性,。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài),，但溶劑本身對(duì)光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎無影響,。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì),。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠,，其技術(shù)壁壘依次降低（半導(dǎo)體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）,。從國產(chǎn)化進(jìn)程來看，PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進(jìn)度較快,，LCD光刻膠替代進(jìn)度相對(duì)較快,，而在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距比較大。有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn),，在可加工性,、抗蝕刻性、極紫外光吸收具有優(yōu)勢,。上海g線光刻膠光致抗蝕劑

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。嘉定負(fù)性光刻膠顯影

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短,，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。嘉定負(fù)性光刻膠顯影