伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移,，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時,，國內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期,，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,。當(dāng)前我國光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下,，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠,，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國家學(xué)習(xí),，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠,，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。浦東正性光刻膠溶劑

在CAR技術(shù)體系中，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸,。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑,。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強(qiáng)了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右,。浙江LCD觸摸屏用光刻膠印刷電路板聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小,，對應(yīng)的光刻圖形越小,。

為了解決EUV光刻面臨的新問題，適應(yīng)EUV光刻的新特點,，幾大類主體材料相繼應(yīng)用于EUV光刻的實踐之中,，常用的策略如下。1）提高靈敏度：引入對EUV吸收截面大的元素,，使用活化能更低的反應(yīng)基團(tuán)和量子效率更高的光敏劑,，應(yīng)用化學(xué)放大機(jī)理；2）提高分辨率：減小化合物的體積（即降低化合物的分子量），增強(qiáng)光刻膠對基底的黏附力和本身的剛性,；3）降低粗糙度：減小化合物的體積或納米顆粒的尺寸,，減少活性物種在體系內(nèi)部的擴(kuò)散，降低光刻膠的靈敏度,；4）提高對比度：降低光刻膠主體材料對光的吸收,；5）提高抗刻蝕性：引入金屬元素或芳香結(jié)構(gòu)；6）提高成膜性能：引入非對稱,、非平面的柔性基團(tuán)以防止結(jié)晶,。

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時,，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料,、樹脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮氣氣體保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗,，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗，合格后在氮氣氣體保護(hù)下包裝,、打標(biāo),、入庫。按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類：光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘、曝光,、曝光后烘烤,、顯影,、堅膜烘烤、顯影檢查等工序,。在光刻過程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光,、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝,。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加,。從全球市場來看，專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%,，達(dá)到19億美元。光刻膠的研發(fā)是不斷進(jìn)行配方調(diào)試的過程,，且難以通過現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方,，這對技術(shù)有很大的要求。江浙滬PCB光刻膠溶劑

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同,，光刻膠可分為 PCB 光刻膠,、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠，技術(shù)門檻逐漸遞增,。浦東正性光刻膠溶劑

熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你,，工藝簡單、可靠,，無需昂貴設(shè)備,、成本低，獲得的光柵質(zhì)量高,、均勻性好,。將該方法應(yīng)用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中，硅光柵線條的高度比達(dá)到了12.6,，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達(dá)0.72,，光柵質(zhì)量很高，線條粗細(xì)均勻,、邊緣光滑,。值得注意的是,，熱壓法通過直接展寬光刻膠光柵線條來增大占寬比，可以集成到全息光刻-離子束刻蝕等光柵制作工藝中,，為光柵衍射效率的調(diào)節(jié)與均勻性修正提供了新思路,。浦東正性光刻膠溶劑