KrF光刻時(shí)期，與ESCAP同期發(fā)展起來(lái)的還有具有低活化能的酸致脫保護(hù)基團(tuán)的光刻膠,，業(yè)界通稱低活化能膠或低溫膠,。與ESCAP相比，低活化能膠無(wú)需高溫后烘,，曝光能量寬裕度較高,，起初由日本的和光公司和信越公司開(kāi)發(fā)，1993年,，IBM公司的Lee等也研發(fā)了相同機(jī)理的光刻膠KRS系列,，商品化版本由日本的JSR公司生產(chǎn)。其結(jié)構(gòu)通常為縮醛基團(tuán)部分保護(hù)的對(duì)羥基苯乙烯,，反應(yīng)機(jī)理如圖12所示,。2004年,，IBM公司的Wallraff等利用電子束光刻比較了KRS光刻膠和ESCAP在50nm線寬以下的光刻性能，預(yù)示了其在EUV光刻中應(yīng)用的可能性,。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,，現(xiàn)已用于集成電路、顯示,、PCB 等領(lǐng)域,，是光刻工藝的重要材料。江蘇光交聯(lián)型光刻膠顯影

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑,、樹(shù)脂,、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、顯影機(jī),、檢測(cè)與測(cè)試等設(shè)備供應(yīng)商,。從原材料市場(chǎng)來(lái)看，由于中國(guó)從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少,，中國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)主要被日本,、韓國(guó)和美國(guó)廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場(chǎng)來(lái)看,，中國(guó)在光刻機(jī),、顯影機(jī)、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備行業(yè)的起步時(shí)間較晚,，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘,，導(dǎo)致中國(guó)在光刻膠、顯影機(jī),、檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化程度均低于10%,。相信后期國(guó)產(chǎn)化程度會(huì)越來(lái)越高。浦東光聚合型光刻膠樹(shù)脂光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷,。

無(wú)論是高分子型光刻膠,，還是單分子樹(shù)脂型光刻膠，都難以解決EUV光吸收和抗刻蝕性兩大難題,。光刻膠對(duì)EUV吸收能力的要求曾隨著EUV光刻技術(shù)的進(jìn)展而發(fā)生改變,，而由于EUV光的吸收只與原子有關(guān)，因而無(wú)論是要透過(guò)性更好,，還是要吸收更強(qiáng),，只通過(guò)純有機(jī)物的分子設(shè)計(jì)是不夠的。若想降低吸收,，則需引入低吸收原子,；若想提高吸收，則需引入高吸收原子。此外,，由于EUV光刻膠膜越來(lái)越薄,，對(duì)光刻膠的抗刻蝕能力要求也越來(lái)越高，而無(wú)機(jī)原子的引入可以增強(qiáng)光刻膠的抗刻蝕能力,。于是針對(duì)EUV光刻,，研發(fā)人員設(shè)計(jì)并制備了一大批有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化型光刻膠。這類光刻膠既保留了高分子及單分子樹(shù)脂光刻膠的設(shè)計(jì)靈活性和較好的成膜性,，又可以調(diào)節(jié)光刻膠的EUV吸收能力,，增強(qiáng)抗刻蝕性。

2005年,，研究人員利用美國(guó)光源的高數(shù)值孔徑微觀曝光工具評(píng)價(jià)了RohmandHaas公司研發(fā)的新型ESCAP光刻膠MET-1K,，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較。與EUV-2D相比,，MET-1K添加了更多的防酸擴(kuò)散劑,。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm區(qū)間,，EUV-2D和MET-1K的圖形質(zhì)量都比較好,；但當(dāng)線寬小于50nm時(shí)，EUV-2D出現(xiàn)明顯的線條坍塌現(xiàn)象,，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整,。在45nm線寬時(shí),，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度,，LER達(dá)到6.3nm?？梢?jiàn)MET-1K的光刻性能要優(yōu)于EUV-2D,。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D,，成為新的EUV光刻設(shè)備測(cè)試用光刻膠,。高壁壘和高價(jià)值量是光刻膠的典型特征。光刻膠屬于技術(shù)和資本密集型行業(yè),，全球供應(yīng)市場(chǎng)高度集中,。

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開(kāi)始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開(kāi)始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長(zhǎng)更短，衍射作用小,，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開(kāi)始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無(wú)法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面,。蘇州負(fù)性光刻膠光致抗蝕劑

有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn)，在可加工性,、抗蝕刻性,、極紫外光吸收具有優(yōu)勢(shì)。江蘇光交聯(lián)型光刻膠顯影

盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發(fā)展路線,，但隨著光刻波長(zhǎng)進(jìn)展到EUV階段,，高分子體系的缺點(diǎn)逐漸顯露出來(lái)。高分子化合物的分子量通常較大,，鏈段容易發(fā)生糾纏,，因此想要實(shí)現(xiàn)高分辨率、低粗糙度的光刻線條,，必須降低分子量,，從而減少分子體積。隨著光刻線條越來(lái)越精細(xì),，光刻膠的使用者對(duì)光刻膠的性能要求也越來(lái)越高,，其中重要的一條便是光刻膠的質(zhì)量穩(wěn)定性。由于高分子合成很難確保分子量分布為1,，不同批次合成得到的主體材料都會(huì)有不同程度的成分差異,，這就使得高分子光刻膠難以低成本地滿足關(guān)鍵尺寸均一性等批次穩(wěn)定性要求。江蘇光交聯(lián)型光刻膠顯影