從光刻設(shè)備角度來看,，EUV光刻與其他波長光刻關(guān)鍵的兩點差異是光源強度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光,，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問題,；另外,，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng),，而非傳統(tǒng)的透過折射鏡片組，且效率不高,。因此在EUV光刻發(fā)展的早期,，通常都要求EUV光刻膠具有較高的靈敏度。同時,，EUV光子能量（約為92eV）遠高于以前幾代光刻技術(shù)光源的光子能量（是193nm光子能量的14.4倍）,，也就是說,，對于同樣的曝光能量，光子數(shù)目遠少于前幾代的光刻技術(shù),，這就導致散粒噪聲增加,，從而造成線寬/線邊緣粗糙度的升高。而靈敏度過高并不利于克服散粒噪聲的影響,，所以隨著EUV光源功率不斷提升，業(yè)界對EUV光刻膠的要求從“提高靈敏度”逐漸變?yōu)椤?span>利用一定程度的靈敏度來降低粗糙度”,。光刻膠是一大類具有光敏化學作用的高分子聚合物材料,，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料

2010年,，美國英特爾公司的Masson報道了一種含有Co的聚合物光刻膠,，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡(luò)合反應(yīng)生成。EUV曝光后,，在光酸的作用下發(fā)生高分子斷鏈反應(yīng),，溶解度發(fā)生變化，可形成30nm的光刻線條,，具有較高的靈敏度,，但LER較差。2014年,，課題組報道了一種鉍化合物,，并將其用于極紫外光刻。這種由氯原子或酯鍵配合的鉍寡聚物可在EUV光照后發(fā)生分子間交聯(lián)反應(yīng),。不過盡管鉍的EUV吸收能力很強,，但此類配合物的靈敏度并不高，氯配合鉍寡聚物能實現(xiàn)分辨率21nm,，所需劑量高達120mJ·cm?2,。江浙滬i線光刻膠其他助劑光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路,、顯示,、PCB 等領(lǐng)域，是光刻工藝的重要材料,。

與金屬納米顆粒和納米簇不同,，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低，通常情況下每個光刻膠分子內(nèi)只有一個或幾個金屬原子,。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少,，可修飾位點較少；而金屬原子的配體種類較多,，且容易連接活性基團,，因此金屬配合物光刻膠的設(shè)計更為靈活,。但是，由于金屬原子含量低,，所以金屬配合物對EUV光的吸收能力,、抗刻蝕能力有可能弱于金屬納米顆粒和納米簇光刻膠。目前已有多種金屬元素的配合物被用于光刻膠,，如鉍,、銻、鋅,、碲,、鉑、鈀,、鈷,、鐵和鉻等。

2011年,，Whittaker課題組又使用聚砜高分子作為主體材料,，制備了鏈斷裂型非化學放大光刻膠。聚砜與聚碳酸酯類似,，主鏈比PMMA更容易斷裂,，因此該光刻膠的靈敏度更高。但較高的反應(yīng)活性也降低了其穩(wěn)定性,，因此Whittaker課題組又利用原子轉(zhuǎn)移自由基聚合法（ARTP）制備了一種PMMA-聚砜復合高分子,，主鏈為聚砜，支鏈為PMMA,，呈梳形結(jié)構(gòu),。PMMA的加入增強了光刻圖形的完整性，可獲得30nm線寬,、占空比為1∶1的線條,，最高分辨率可達22.5nm，靈敏度可達4~6mJ·cm?2,。不過聚砜在曝光時會分解出二氧化硫和烯烴碎片,，產(chǎn)氣量較大。在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等,。

盡管HSQ可以實現(xiàn)較好的EUV光刻圖案,，且具有較高的抗刻蝕性能，但HSQ較低的靈敏度無法滿足EUV光刻的需求,，且價格非常昂貴,，難以用于商用的EUV光刻工藝中,。另外，盡管HSQ中Si含量很高,，但由于O含量也很高,，所以HSQ并未展現(xiàn)含Si光刻膠對EUV光透光性的優(yōu)勢，未能呈現(xiàn)較高的對比度,。因此,，研發(fā)人員將目光轉(zhuǎn)向側(cè)基修飾的高分子光刻膠。使用含硅,、含硼單元代替高分子光刻膠原本的功能性含氧側(cè)基,，既可有效降低光刻膠對EUV光的吸收，又有助于提高對比度,，也可提高抗刻蝕性。目前,，我國光刻膠自給率較低,，生產(chǎn)也主要集中在中低端產(chǎn)品，國產(chǎn)替代的空間廣闊,。普陀光刻膠光引發(fā)劑

光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè),。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂,。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅，也可以為化合物半導體）,。2）前烘,。旋涂后烘烤光刻膠膜，確保光刻膠溶劑全部揮發(fā),。3）曝光,。經(jīng)過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內(nèi)發(fā)生光化學反應(yīng),。4）后烘,。某些光刻膠除了需要發(fā)生光反應(yīng)，還需要進行熱反應(yīng),，因此需要在曝光后對光刻膠膜再次烘烤,。5）顯影。曝光（及后烘）后,，光刻膠的溶解性能發(fā)生改變,，利用適當?shù)娘@影液將可溶解區(qū)域去除。經(jīng)過這些過程,，就完成了一次光刻工藝,，后續(xù)將視器件制造的需要進行刻蝕,、離子注入等其他工序。一枚芯片的制造,，往往需要幾次甚至幾十次的光刻工藝才能完成,。江浙滬彩色光刻膠顯示面板材料