無論是高分子型光刻膠,，還是單分子樹脂型光刻膠，都難以解決EUV光吸收和抗刻蝕性兩大難題,。光刻膠對(duì)EUV吸收能力的要求曾隨著EUV光刻技術(shù)的進(jìn)展而發(fā)生改變,，而由于EUV光的吸收只與原子有關(guān),，因而無論是要透過性更好,，還是要吸收更強(qiáng)，只通過純有機(jī)物的分子設(shè)計(jì)是不夠的,。若想降低吸收,，則需引入低吸收原子；若想提高吸收,，則需引入高吸收原子,。此外，由于EUV光刻膠膜越來越薄,，對(duì)光刻膠的抗刻蝕能力要求也越來越高,，而無機(jī)原子的引入可以增強(qiáng)光刻膠的抗刻蝕能力。于是針對(duì)EUV光刻,，研發(fā)人員設(shè)計(jì)并制備了一大批有機(jī)-無機(jī)雜化型光刻膠。這類光刻膠既保留了高分子及單分子樹脂光刻膠的設(shè)計(jì)靈活性和較好的成膜性,，又可以調(diào)節(jié)光刻膠的EUV吸收能力,，增強(qiáng)抗刻蝕性。從化學(xué)組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機(jī)化合物,。浙江光刻膠顯示面板材料

近年來，隨著EUV光源功率提高,，制約EUV光刻膠發(fā)展的瓶頸已經(jīng)從靈敏度變?yōu)榇植诙?。化學(xué)放大光刻膠涉及酸擴(kuò)散過程,，會(huì)直接影響光刻膠的粗糙度和分辨率,；再加上EUV光刻特有的散粒噪聲問題，過高的靈敏度反而可能成為弊端,。因此,，一度沉寂的非化學(xué)放大光刻膠又重新受到重視。在PMMA基礎(chǔ)之上,，研發(fā)人員開發(fā)了一系列光反應(yīng)機(jī)理類似的鏈斷裂型光刻膠,。由于PMMA的靈敏度過低，因此靈敏度仍然是制約其應(yīng)用的重要問題,。研究者們主要通過兩種方法來改善其性能：在光刻膠主體材料的主鏈或側(cè)基中引入對(duì)EUV光吸收更強(qiáng)的原子,，如F、S,、O等,，以及利用更容易發(fā)生斷鏈過程的高分子作為骨架。普陀i線光刻膠集成電路材料按曝光波長(zhǎng)可分為紫外光刻膠,、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。

盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發(fā)展路線，但隨著光刻波長(zhǎng)進(jìn)展到EUV階段,，高分子體系的缺點(diǎn)逐漸顯露出來,。高分子化合物的分子量通常較大，鏈段容易發(fā)生糾纏,，因此想要實(shí)現(xiàn)高分辨率,、低粗糙度的光刻線條，必須降低分子量,，從而減少分子體積,。隨著光刻線條越來越精細(xì)，光刻膠的使用者對(duì)光刻膠的性能要求也越來越高,，其中重要的一條便是光刻膠的質(zhì)量穩(wěn)定性,。由于高分子合成很難確保分子量分布為1，不同批次合成得到的主體材料都會(huì)有不同程度的成分差異,，這就使得高分子光刻膠難以低成本地滿足關(guān)鍵尺寸均一性等批次穩(wěn)定性要求,。

構(gòu)建負(fù)膠除了可通過改變小分子本身的溶解性以外，還可以利用可發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的酸敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)分子間的交聯(lián),，從而改變?nèi)芙舛?。Henderson課題組報(bào)道了一系列含有環(huán)氧乙烷基團(tuán)的枝狀單分子樹脂。環(huán)氧乙烷基團(tuán)在酸的作用下發(fā)生開環(huán)反應(yīng)再彼此連接,，從而可形成交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，使光刻膠膜的溶解性能降低，可作為負(fù)性化學(xué)放大光刻膠,。通過增加體系內(nèi)的芳香結(jié)構(gòu)來進(jìn)一步破壞分子的平面性,，可以獲得更好的成膜性和提高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度；同時(shí),，每個(gè)分子上的環(huán)氧基團(tuán)從兩個(gè)增加為四個(gè)后,，靈敏度提高了，分辨率也有所提高,。光刻膠只是一種形象的說法,，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略,。日本瑞翁公司開發(fā)的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻,，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高靈敏度,，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,。采用后一種策略時(shí),，常用的高分子主鏈有聚碳酸酯和聚砜。2010年,，美國(guó)紐約州立大學(xué)的課題組報(bào)道了一系列以聚碳酸酯高分子為主體材料的光刻膠,，高分子主鏈中具有二級(jí)或三級(jí)烯丙酯結(jié)構(gòu)可在酸催化下裂解形成雙鍵和羧酸。此外,，他們還在高分子中引入了芳香基團(tuán),，以增強(qiáng)其抗刻蝕性?？色@得36nm線寬,、占空比為1∶1的線條，22.5mJ·cm?2的劑量下可獲得線寬為26nm的線條,。半導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。光分解型光刻膠印刷電路板

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。浙江光刻膠顯示面板材料

2005 年起，Gonsalves 課題組將陽離子基團(tuán)（硫鎓鹽等）修飾的甲基丙烯酸酯與其他光刻膠單體共聚,，制備了一系列側(cè)基連接光致產(chǎn)酸劑的光刻膠，聚合物中金剛烷基團(tuán)的引入可以有效提升抗刻蝕性,。這類材料與主體材料和產(chǎn)酸劑簡(jiǎn)單共混的配方相比,，呈現(xiàn)出更高的靈敏度和對(duì)比度。2009年起,，Thackeray等則將陰離子基團(tuán)連接在高分子主鏈上,，通過EUV曝光可以得到的光刻圖形分辨率為22nm光刻圖形，其對(duì)應(yīng)的靈敏度和線邊緣粗糙度分別為12mJ·cm?2和4.2nm,。2011年,，日本富士膠片的Tamaoki等也報(bào)道了一系列對(duì)羥基苯乙烯型主鏈鍵合光致產(chǎn)酸劑的高分子光刻膠，并研究了不同產(chǎn)酸劑基團(tuán),、高分子組成對(duì)分辨率,、靈敏度和粗糙度的影響，最高分辨率可達(dá)17.5nm,。浙江光刻膠顯示面板材料