加強(qiáng)光刻膠的機(jī)理研究,，對(duì)新型光刻膠的設(shè)計(jì)開發(fā)、現(xiàn)有光刻技術(shù)的改進(jìn)都是大有裨益的,。另外,，基礎(chǔ)研究也需要貼合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實(shí)際和需求，如含鐵,、鈷的光刻膠,，盡管具有較好的光刻效果，但由于鐵,、鈷等元素在硅基底中擴(kuò)散速度很快,，容易造成器件的污染，基本沒(méi)有可能投入到產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用中去,。光刻膠的研發(fā)和技術(shù)水平,，能夠影響一個(gè)國(guó)家半導(dǎo)體工業(yè)的健康發(fā)展。2019年,，日本就曾經(jīng)通過(guò)限制EUV光刻膠出口來(lái)制約韓國(guó)的芯片生產(chǎn),。因此，唯有加強(qiáng)我國(guó)自主的光刻膠研發(fā),，隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,，不斷開發(fā)出新材料、新配方,、新工藝,，才能保證我國(guó)的半導(dǎo)體工業(yè)的快速和健康發(fā)展,。在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等,。江浙滬化學(xué)放大型光刻膠印刷電路板

2005年，研究人員利用美國(guó)光源的高數(shù)值孔徑微觀曝光工具評(píng)價(jià)了RohmandHaas公司研發(fā)的新型ESCAP光刻膠MET-1K,，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較,。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸擴(kuò)散劑,。使用0.3NA的EUV曝光工具，在90~50nm區(qū)間,，EUV-2D和MET-1K的圖形質(zhì)量都比較好,；但當(dāng)線寬小于50nm時(shí)，EUV-2D出現(xiàn)明顯的線條坍塌現(xiàn)象,，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整,。在45nm線寬時(shí)，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度,，LER達(dá)到6.3nm,。可見MET-1K的光刻性能要優(yōu)于EUV-2D,。從此,，MET-1K逐漸代替EUV-2D，成為新的EUV光刻設(shè)備測(cè)試用光刻膠,。嘉定化學(xué)放大型光刻膠在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。

除了枝狀分子之外，環(huán)狀單分子樹脂近年來(lái)也得到了迅速發(fā)展,。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性,，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性。由于構(gòu)象較多,，此類分子也難以結(jié)晶,，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組,，2002年起,，他們報(bào)道了具有間苯二酚結(jié)構(gòu)的杯芳烴在365nm光刻中的應(yīng)用。2007年,，瑞士光源的Solak等利用對(duì)氯甲氧基杯芳烴獲得了線寬12.5nm,、占空比1∶1的密集線條,，但由于為非化學(xué)放大光刻膠，曝光機(jī)理為分子結(jié)構(gòu)被破壞,，靈敏度較差,，為PMMA的1/5。

在Shirota等的工作基礎(chǔ)之上,，2005年起,，美國(guó)康奈爾大學(xué)的Ober課題組將非平面樹枝狀連接酸敏基團(tuán)的策略進(jìn)一步發(fā)展，設(shè)計(jì)并合成了一系列用于EUV光刻的單分子樹脂光刻膠,，這些光刻膠分子不再局限于三苯基取代主要,，具有更復(fù)雜的枝狀拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。三級(jí)碳原子的引入使其更不易形成晶體,，有助于成膜性能的提高,；更復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，也便于在分子中設(shè)置數(shù)量不同的酸敏基團(tuán),，有利于調(diào)節(jié)光刻膠的靈敏度,。他們研究了后烘溫度、顯影劑濃度等過(guò)程對(duì)單分子樹脂材料膨脹行為的影響,，獲得20nm分辨率的EUV光刻線條,，另外，他們也研究了利用超臨界CO2作為顯影劑的可能性,。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系,，市場(chǎng)新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，簽約新客戶的難度高,。

起初被廣泛應(yīng)用的化學(xué)放大型EUV光刻膠是環(huán)境穩(wěn)定的化學(xué)放大型光刻膠（ESCAP）,，該理念由IBM公司的光刻膠研發(fā)團(tuán)隊(duì)于1994年提出，隨后Shipley公司也開展了系列研究,。ESCAP光刻膠由對(duì)羥基苯乙烯,、苯乙烯、丙烯酸叔丁酯共聚而成,，其酸敏基團(tuán)丙烯酸叔丁酯發(fā)生反應(yīng)需要的活化能較高,，因此對(duì)環(huán)境相對(duì)穩(wěn)定，具有保質(zhì)期長(zhǎng),、后烘溫度窗口大,、升華物少、抗刻蝕性好等特點(diǎn),，后廣泛應(yīng)用于248nm光刻,。1999年，時(shí)任Shipley公司研發(fā)人員將其應(yīng)用于EUV光刻,，他們?cè)?9種ESCAP光刻膠中篩選出性能好的編號(hào)為2D的EUV光刻膠,。通過(guò)美國(guó)桑迪亞實(shí)驗(yàn)室研制的Sandia10XIEUV曝光工具,，可獲得密集線條的最高分辨率達(dá)70nm，線寬為100nm時(shí)LER為5.3nm,，線寬為80nm時(shí)LER為7.5nm,。該光刻膠即為Shipley公司推出的工具型EUV光刻膠EUV-2D。它取代PMMA成為EUV光刻設(shè)備的測(cè)試用光刻膠,，直至2005年,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。蘇州正性光刻膠

有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。江浙滬化學(xué)放大型光刻膠印刷電路板

荷蘭光刻高級(jí)研究中心的Brouwer課題組進(jìn)一步優(yōu)化了錫氧納米簇的光刻工藝,。他們發(fā)現(xiàn)后烘工藝可以大幅提高錫氧納米簇光刻膠的靈敏度。盡管錫氧納米簇的機(jī)理是非化學(xué)放大機(jī)理,，但曝光后產(chǎn)生的活性物種仍然有可能在加熱狀態(tài)下繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng),。俄勒岡州立大學(xué)的Herman課題組制備了一種電中性的叔丁基錫Keggin結(jié)構(gòu)（β-NaSn13）納米簇。這一類的光刻膠在含氧氣氛下的靈敏度遠(yuǎn)高于真空環(huán)境下的靈敏度,，這可能與分子氧生成的反應(yīng)活性氧物種有關(guān)。江浙滬化學(xué)放大型光刻膠印刷電路板