化學(xué)放大型光刻膠體系中有一個(gè)比較大的問題,，就是光酸的擴(kuò)散問題,。光酸的擴(kuò)散會(huì)增加光刻過程的圖案的粗糙度，進(jìn)而影響光刻結(jié)果的分辨率,。而將光致產(chǎn)酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起,，則有可能解決這一問題。此外,，光致產(chǎn)酸劑（特別是離子型光致產(chǎn)酸劑）的化學(xué)結(jié)構(gòu)與主體材料相差較大,，極易在成膜時(shí)發(fā)生聚集，導(dǎo)致微區(qū)分相現(xiàn)象,；而光致產(chǎn)酸劑與光刻膠主體材料共價(jià)鍵合后,，分布均勻性可以得到改善，這也有利于獲得質(zhì)量更好的光刻圖案,。到2013年國(guó)內(nèi)光刻膠需求總量已達(dá)到5700噸,，銷售額約為17億元人民幣（2.7億美元）。浦東干膜光刻膠光致抗蝕劑

全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法,，全息光刻用來(lái)產(chǎn)生光刻膠光柵圖形,，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高,，側(cè)壁可以達(dá)到原子級(jí)光滑，光柵線條的高度比可以高達(dá)160,。但由于單晶硅各向異性濕法刻蝕在垂直向下刻蝕的同時(shí)存在著橫向鉆蝕,，所以要獲得大高度比的硅光柵,，光刻膠光柵圖形的占寬比要足夠大，且越大越好,。占寬比越大,，單晶硅各向異性濕法刻蝕的工藝寬容度越大，成功率越高,，光柵質(zhì)量越好,。華東彩色光刻膠光致抗蝕劑光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘高,，其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求,。

由于EUV光刻膠膜較薄，通常小于100nm,，對(duì)于精細(xì)的線條,，甚至不足50nm，因此光刻膠頂部與底部的光強(qiáng)差異便顯得不那么重要了,。而很長(zhǎng)一段時(shí)間以來(lái),，限制EUV光刻膠發(fā)展的都是光源功率太低，因此研發(fā)人員開始反過來(lái)選用對(duì)EUV光吸收更強(qiáng)的元素來(lái)構(gòu)建光刻膠主體材料,。于是,，一系列含有金屬的EUV光刻膠得到了發(fā)展，其中含金屬納米顆粒光刻膠是其中的典型,。2010年,，Ober課題組和Giannelis課題組首度報(bào)道了基于HfO2的金屬納米顆粒光刻膠，并研究了其作為193nm光刻膠和電子束光刻膠的可能性,。隨后,，他們將這一體系用于EUV光刻，并將氧化物種類拓寬至ZrO2,。他們以異丙醇鉿（或鋯）和甲基丙烯酸（MAA）為原料,，通過溶膠-凝膠法制備了穩(wěn)定的粒徑在2~3nm的核-殼結(jié)構(gòu)納米顆粒。納米顆粒以HfO2或ZrO2為核,，具有很高的抗刻蝕性和對(duì)EUV光的吸收能力,；而有機(jī)酸殼層不但是光刻膠曝光前后溶解度改變的關(guān)鍵，還能使納米顆粒穩(wěn)定地分散于溶劑之中,，確保光刻膠的成膜性,。ZrO2-MAA納米材料加入自由基引發(fā)劑后可實(shí)現(xiàn)負(fù)性光刻，在4.2mJ·cm?2的劑量下獲得22nm寬的線條,；而加入光致產(chǎn)酸劑曝光并后烘,，利用TMAH顯影則可實(shí)現(xiàn)正性光刻。

關(guān)于光刻膠膜對(duì)EUV光的吸收能力,，研究人員的觀點(diǎn)曾發(fā)生過較大的轉(zhuǎn)變,。剛開始研究人員認(rèn)為光刻膠應(yīng)對(duì)EUV盡量透明,，以便EUV光可以順利透過光刻膠膜。對(duì)于紫外,、深紫外光刻來(lái)說,，如果光子不能透過膠膜，則會(huì)降低光刻的對(duì)比度,，即開始曝光劑量和完全曝光劑量之間存在較大的差值,，從而使曝光邊界處圖案不夠陡直。所以,，早期的EUV光刻膠研發(fā)通常會(huì)在分子結(jié)構(gòu)中引入Si,、B等EUV吸收截面較小的元素，而避免使用F等EUV吸收截面較大的元素,。隨后研究人員又發(fā)現(xiàn),，即使是對(duì)EUV光吸收較強(qiáng)的主體材料，還是“過于透明”了,，以至于EUV光刻的靈敏度難以提高,。因此，科研人員開始轉(zhuǎn)向?qū)で笪崭鼜?qiáng)的主體材料,，研發(fā)出了一系列基于金屬元素的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠,。按曝光波長(zhǎng)可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。

熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你，工藝簡(jiǎn)單,、可靠,，無(wú)需昂貴設(shè)備、成本低,，獲得的光柵質(zhì)量高,、均勻性好。將該方法應(yīng)用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中,，硅光柵線條的高度比達(dá)到了12.6,，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達(dá)0.72，光柵質(zhì)量很高,，線條粗細(xì)均勻,、邊緣光滑。值得注意的是，熱壓法通過直接展寬光刻膠光柵線條來(lái)增大占寬比,，可以集成到全息光刻-離子束刻蝕等光柵制作工藝中,，為光柵衍射效率的調(diào)節(jié)與均勻性修正提供了新思路,。光刻膠只是一種形象的說法,，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。浦東干膜光刻膠光致抗蝕劑

彩色玻璃也可以保護(hù)光刻膠,。浦東干膜光刻膠光致抗蝕劑

近年來(lái),，隨著EUV光源功率提高，制約EUV光刻膠發(fā)展的瓶頸已經(jīng)從靈敏度變?yōu)榇植诙??；瘜W(xué)放大光刻膠涉及酸擴(kuò)散過程，會(huì)直接影響光刻膠的粗糙度和分辨率,；再加上EUV光刻特有的散粒噪聲問題,，過高的靈敏度反而可能成為弊端。因此,，一度沉寂的非化學(xué)放大光刻膠又重新受到重視,。在PMMA基礎(chǔ)之上，研發(fā)人員開發(fā)了一系列光反應(yīng)機(jī)理類似的鏈斷裂型光刻膠,。由于PMMA的靈敏度過低,，因此靈敏度仍然是制約其應(yīng)用的重要問題。研究者們主要通過兩種方法來(lái)改善其性能：在光刻膠主體材料的主鏈或側(cè)基中引入對(duì)EUV光吸收更強(qiáng)的原子,，如F,、S、O等,，以及利用更容易發(fā)生斷鏈過程的高分子作為骨架,。浦東干膜光刻膠光致抗蝕劑