由于EUV光刻膠膜較薄,，通常小于100nm，對于精細(xì)的線條,，甚至不足50nm,，因此光刻膠頂部與底部的光強(qiáng)差異便顯得不那么重要了。而很長一段時(shí)間以來,，限制EUV光刻膠發(fā)展的都是光源功率太低,，因此研發(fā)人員開始反過來選用對EUV光吸收更強(qiáng)的元素來構(gòu)建光刻膠主體材料。于是,，一系列含有金屬的EUV光刻膠得到了發(fā)展,，其中含金屬納米顆粒光刻膠是其中的典型。2010年,，Ober課題組和Giannelis課題組首度報(bào)道了基于HfO2的金屬納米顆粒光刻膠,，并研究了其作為193nm光刻膠和電子束光刻膠的可能性。隨后,，他們將這一體系用于EUV光刻，并將氧化物種類拓寬至ZrO2,。他們以異丙醇鉿（或鋯）和甲基丙烯酸（MAA）為原料,，通過溶膠-凝膠法制備了穩(wěn)定的粒徑在2~3nm的核-殼結(jié)構(gòu)納米顆粒。納米顆粒以HfO2或ZrO2為核,，具有很高的抗刻蝕性和對EUV光的吸收能力,；而有機(jī)酸殼層不但是光刻膠曝光前后溶解度改變的關(guān)鍵，還能使納米顆粒穩(wěn)定地分散于溶劑之中,，確保光刻膠的成膜性,。ZrO2-MAA納米材料加入自由基引發(fā)劑后可實(shí)現(xiàn)負(fù)性光刻，在4.2mJ·cm?2的劑量下獲得22nm寬的線條,；而加入光致產(chǎn)酸劑曝光并后烘,，利用TMAH顯影則可實(shí)現(xiàn)正性光刻。到2013年國內(nèi)光刻膠需求總量已達(dá)到5700噸,，銷售額約為17億元人民幣（2.7億美元）,。浦東PCB光刻膠曝光

與EUV光源相比，UV光源更容易實(shí)現(xiàn)較高的功率,；但UV曝光不能滿足分辨線條的形成條件,。因此PSCAR實(shí)際上是利用EUV曝光形成圖案，再用UV曝光增加光反應(yīng)的程度,，從而實(shí)現(xiàn)提高EUV曝光靈敏度的效果,。在起初的PSCAR體系基礎(chǔ)之上,，Tagawa課題組還開展了一系列相關(guān)研究，并通過在體系中引入對EUV光敏感的光可分解堿,，開發(fā)出了PSCAR1.5,，引入對UV光敏感的光可分解堿，開發(fā)出了PSCAR2.0,。光可分解堿的引入可以減少酸擴(kuò)散,，使PSCAR光刻膠體系的對比度提高，粗糙度降低,，也進(jìn)一步提高了光刻膠的靈敏度,。嘉定g線光刻膠光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。

2014年,，Gonsalves課題組在側(cè)基連接硫鎓鹽的高分子光刻膠基礎(chǔ)之上，制備了一種側(cè)基含有二茂鐵基團(tuán)高分子光刻膠,。其反應(yīng)機(jī)理與不含二茂鐵的光刻膠類似,，但二茂鐵的引入增強(qiáng)了光刻膠的熱穩(wěn)定性和靈敏度，可實(shí)現(xiàn)25nm線寬的曝光,。2015年,，課題組報(bào)道了一系列鈀和鉑的配合物，用于正性EUV曝光,。配合物中包括極性較大的草酸根配體,，也有極性較小的1，1-雙（二苯基膦）甲烷或1,，2-二（二苯基膦）乙烷配體,。EUV曝光后，草酸根分解形成二氧化碳或一氧化碳,，配體只剩下低極性部分,，從而可以用低極性的顯影液洗脫；未曝光區(qū)域由于草酸根的存在,，無法溶于顯影液,，實(shí)現(xiàn)正性曝光。這一系列配合物中,，靈敏度較高的化合物為1,，2-二（二苯基膦）乙烷配草酸鈀，可以在50mJ·cm?2的劑量下得到30nm的線寬,。

小分子的分子量通常小于聚合物,，體積也小于聚合物，相對容易實(shí)現(xiàn)高分辨率,、低粗糙度的圖案,；而且制備工藝通常為多步驟的有機(jī)合成,，容易控制純度，可以解決高分子材料面臨的質(zhì)量穩(wěn)定性問題,。與高分子材料相比,，小分子材料的缺點(diǎn)是難以配制黏度較高的溶液，從而難以實(shí)現(xiàn)厚膜樣品的制備,。但自從ArF光刻工藝以來,，光刻膠膜的厚度已經(jīng)在200nm以下，小分子材料完全可以滿足要求,。作為光刻膠主體材料的小分子應(yīng)滿足光刻膠的成膜要求,，即可以在基底表面形成均一的、各向同性的薄膜,，而不能發(fā)生結(jié)晶過程,。因此此類小分子沒有熔點(diǎn)，而是與高分子類似,，存在玻璃態(tài)到高彈態(tài)或黏流態(tài)的轉(zhuǎn)變,，所以早期的文獻(xiàn)中通常稱這種材料為“分子玻璃”；而依據(jù)此類材料的化學(xué)本質(zhì),，即由單一結(jié)構(gòu)的分子組成,，稱其為“單分子樹脂”更加合理。此外,，單分子樹脂材料還應(yīng)該具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱穩(wěn)定性,，以滿足光刻膠的前烘和后烘需求。所有用來噴灑光刻膠的設(shè)備要求盡可能潔凈,，光刻膠管需要定期清洗。

2005 年起,，Gonsalves 課題組將陽離子基團(tuán)（硫鎓鹽等）修飾的甲基丙烯酸酯與其他光刻膠單體共聚,，制備了一系列側(cè)基連接光致產(chǎn)酸劑的光刻膠，聚合物中金剛烷基團(tuán)的引入可以有效提升抗刻蝕性,。這類材料與主體材料和產(chǎn)酸劑簡單共混的配方相比,，呈現(xiàn)出更高的靈敏度和對比度。2009年起,，Thackeray等則將陰離子基團(tuán)連接在高分子主鏈上,，通過EUV曝光可以得到的光刻圖形分辨率為22nm光刻圖形，其對應(yīng)的靈敏度和線邊緣粗糙度分別為12mJ·cm?2和4.2nm,。2011年,，日本富士膠片的Tamaoki等也報(bào)道了一系列對羥基苯乙烯型主鏈鍵合光致產(chǎn)酸劑的高分子光刻膠，并研究了不同產(chǎn)酸劑基團(tuán),、高分子組成對分辨率,、靈敏度和粗糙度的影響,，最高分辨率可達(dá)17.5nm。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體,。浙江g線光刻膠顯影

按曝光波長可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。浦東PCB光刻膠曝光

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅,，也可以為化合物半導(dǎo)體）,。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜,，確保光刻膠溶劑全部揮發(fā),。3）曝光。經(jīng)過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上,，膠膜內(nèi)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。4）后烘。某些光刻膠除了需要發(fā)生光反應(yīng),，還需要進(jìn)行熱反應(yīng),，因此需要在曝光后對光刻膠膜再次烘烤。5）顯影,。曝光（及后烘）后,，光刻膠的溶解性能發(fā)生改變，利用適當(dāng)?shù)娘@影液將可溶解區(qū)域去除,。經(jīng)過這些過程,，就完成了一次光刻工藝，后續(xù)將視器件制造的需要進(jìn)行刻蝕,、離子注入等其他工序,。一枚芯片的制造，往往需要幾次甚至幾十次的光刻工藝才能完成,。浦東PCB光刻膠曝光