光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配,。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好,因光源必須照到器件的有效位置,,如光照位置發(fā)生變化,,則光電靈敏度將發(fā)生變化,。如光敏電阻是一個(gè)可變電阻,有光照的部分電阻就降低,,必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上,,以便有效地利用全部感光面。光電二極管,、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個(gè)極小的面積,,故一般把透鏡作為光的入射窗,要把透鏡的焦點(diǎn)與感光的靈敏點(diǎn)對(duì)準(zhǔn),。一定要使入射通量的變化中心處于檢測(cè)器件光電特性的線性范圍內(nèi),,以確保獲得良好的線性輸出。對(duì)微弱的光信號(hào),,器件必須有合適的靈敏度,,以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號(hào);光電探測(cè)器是光接收器的主要器件之一,,用來(lái)將光功率轉(zhuǎn)換為電流,。深圳50GHZ PIN光電探測(cè)器均價(jià)
1873年,,英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng),但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段,,未獲實(shí)際應(yīng)用,。第二次世界大戰(zhàn)以后,隨著半導(dǎo)體的發(fā)展,,各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn),。在可見(jiàn)光波段方面,到50年代中期,,性能良好的硫化鎘,、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用。60年代初,,中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge,、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(鍺摻金)和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器,。60年代末以后,HgCdTe,、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種,。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí),,光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子,、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng),。這里h是普朗克常數(shù),v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏),。因此,,本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長(zhǎng)波限受禁帶寬度的限制,。深圳50GHZ PIN光電探測(cè)器均價(jià)光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下,,電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過(guò)度到自由狀態(tài),而引起材料電導(dǎo)率的變化的象,。
PIN光電二極管優(yōu)點(diǎn)在于響應(yīng)度高響應(yīng)速度快,,頻帶也較寬工作電壓低,偏置電路簡(jiǎn)單在反偏壓下可承受較高的反向電壓,,而缺點(diǎn)在于I層電阻很大管子的輸出電流小,,一般多為零點(diǎn)幾微安至數(shù)微安。APD雪崩二極管具有功率大,、效率高等優(yōu)點(diǎn),,它是固體微波源,特別是毫米波發(fā)射源的主要功率器件,,較廣地使用于雷達(dá),、通信,、遙控、遙測(cè),、儀器儀表中,,其主要缺點(diǎn)是噪聲較大。PN結(jié)型光電二極管與其他類型的光探測(cè)器一樣,,在諸如光敏電阻,、感光耦合元件(Charge-coupledDevice,CCD)以及光電倍增管等設(shè)備中有著廣泛應(yīng)用。它們能夠根據(jù)所受光的照度來(lái)輸出相應(yīng)的模擬電信號(hào)(例如測(cè)量?jī)x器)或者在數(shù)字電路的不同狀態(tài)間切換(例如控制開(kāi)關(guān),、數(shù)字信號(hào)處理),。光電二極管在消費(fèi)電子產(chǎn)品,例如CD播放器,、煙霧探測(cè)器以及控制電視機(jī),、空調(diào)的紅外線遙控設(shè)備中也有應(yīng)用。
兩束滿足相干條件的信號(hào)稱為相干信號(hào),,相干條件(CoherentCondition):這兩束信號(hào)在相遇區(qū)域:①振動(dòng)方向相同,;②振動(dòng)頻率相同;③相位相同或相位差保持恒定那么在兩束信號(hào)相遇的區(qū)域內(nèi)就會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象,。能發(fā)出相互干涉的信號(hào)的兩個(gè)信號(hào)源就叫相干信號(hào)源,。在相干信號(hào)源情況下正確估計(jì)信號(hào)方向(即解相干或去相關(guān))的關(guān)鍵問(wèn)題是如何通過(guò)一系列處理或變換使得信號(hào)協(xié)方差矩陣的秩得到有效恢復(fù),,從而正確估計(jì)信號(hào)源的方向,。目前關(guān)于解相干的處理基本有兩大類:一類是降維處理;另一類是非降維處理。熱探測(cè)器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高,,從而改變了它的電學(xué)性能,。
光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程:(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí),,如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv,,則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí),,光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減,,其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收,,本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷,。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高,,由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出,,當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí),,半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊,。但是對(duì)于硅材料,由于其是間接帶隙材料,,與三五族材料相比躍遷幾率較低,,因而只有非常小的吸收系數(shù),同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大,。PIN缺點(diǎn)在于I層電阻很大管子的輸出電流小,,一般多為零點(diǎn)幾微安至數(shù)微安。飛博光電低失真光電探測(cè)器價(jià)格比較
APD雪崩二極管其主要缺點(diǎn)是噪聲較大,。深圳50GHZ PIN光電探測(cè)器均價(jià)
雪崩效應(yīng)只是APD的工作原理,,和工作模式不是一個(gè)東西。APD工作模式分蓋革模式和線型模式,,區(qū)別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓,,蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線性模式下APD就是一個(gè)增益高的普通光電二極管,。蓋格模式下APD接受到光子后就會(huì)進(jìn)入并一直處于反向擊穿狀態(tài),,APD一直通過(guò)一個(gè)很大的反向電流。這時(shí),,通過(guò)外部電路使偏置電壓暫時(shí)下降至擊穿電壓之下,,APD從反向擊穿模式恢復(fù),等待下一個(gè)光子,,所以蓋格模式通常只適用與單光子計(jì)數(shù)應(yīng)用,。深圳50GHZ PIN光電探測(cè)器均價(jià)
深圳市飛博光電科技有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn),、咨詢,、規(guī)劃、銷售,、服務(wù)于一體的生產(chǎn)型企業(yè),。公司成立于2018-09-30,多年來(lái)在激光光源,,光放大器,,射頻放大器,光電探測(cè)器行業(yè)形成了成熟,、可靠的研發(fā),、生產(chǎn)體系。公司主要經(jīng)營(yíng)激光光源,,光放大器,,射頻放大器,光電探測(cè)器等產(chǎn)品,,產(chǎn)品質(zhì)量可靠,,均通過(guò)通信產(chǎn)品行業(yè)檢測(cè),,嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用與全國(guó)30多個(gè)省,、市,、自治區(qū)。深圳市飛博光電科技有限公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷緊跟激光光源,,光放大器,,射頻放大器,光電探測(cè)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),,研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品,,從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求,。深圳市飛博光電科技有限公司嚴(yán)格規(guī)范激光光源,,光放大器,射頻放大器,,光電探測(cè)器產(chǎn)品管理流程,,確保公司產(chǎn)品質(zhì)量的可控可靠。公司擁有銷售/售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),,分工明細(xì),,服務(wù)貼心,為廣大用戶提供滿意的服務(wù),。