可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：

（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低,，效率高,，節(jié)能效果好。

（2）采用進(jìn)口插入元件,，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性,。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,，導(dǎo)熱性好,。

（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

（5）觸發(fā)控制電路,、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V,，保證安全,。

（6）通過輸入0-10V直流控制信號，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓,。

（7）可采用手動控制,、儀表控制或微機(jī)控制。

（8）適用于電阻和電感負(fù)載,。 淄博正高電氣有限公司重信譽(yù),、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,，洽談業(yè)務(wù)！遼寧大功率可控硅模塊價格

單向可控硅模塊有陽極A,、陰極K,、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2),、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V,。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān),。 濰坊小功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊從用戶需求出發(fā)。

可控硅元件控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時,，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大,，因此在電感上產(chǎn)生一個高電壓,，這個電壓通過電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止,，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束,。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,，這種脈沖具有很高的幅度,，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個很強(qiáng)的噪聲源,。

導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系,，模塊的標(biāo)稱電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大,，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上。淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手,、共創(chuàng)輝煌,。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,，憑借它的優(yōu)勢,，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊,。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）,。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計可以簡化,，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。濰坊小功率可控硅模塊配件

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雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,，但我們不再稱其兩極為陰陽極,，而是稱作T1和T2極，G為控制極,，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,，但是它過載能力差,，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作,，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用,；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來?。?

（3）為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,，除此以外，還必須采取保護(hù)措施,，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),，當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些,，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓,。由于，過電壓的尖峰高,，作用時間短,，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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