晶閘管智能模塊的保護

在實際應用中,，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外,，還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣,，在實際工作中由于自身功耗,，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后,，會使漏電流增加,，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應用中,，通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量,，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作,。 正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,，逐年立項對制造、檢測,、試驗裝置進行技術(shù)改造。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

    由與非門的邏輯關(guān)系可知此時YFA3腳輸出為高電平,，經(jīng)過YF2反相變?yōu)榈碗娖?，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大,，YFA1腳電位升高,，如果此時有聲音被MIC接收，經(jīng)C1耦合T1放大,，在R3上形成音頻電壓,，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平,，經(jīng)YFB反相,，4腳輸出的高電平經(jīng)D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓,，10腳輸出低電平,，由YFD反相緩沖后經(jīng)R6觸發(fā)可控硅導通，電燈正常點亮,。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收,，則YFA輸出恢復為高電平，C2通過R5緩慢放電,，當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數(shù)約一分鐘）YFC反轉(zhuǎn),、YFD反轉(zhuǎn)，可控硅（SCR）截止電燈關(guān)閉,，等待下次觸發(fā),。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可,，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011,，T1用9014低頻管，放大倍數(shù)越大靈敏度越高,，D1用IN4148,，D2是，C2、C3用電解電容,、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅,，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖,。D4-D7用IN4007,，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W,。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件正高電氣技術(shù)力量雄厚,，工裝設(shè)備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善,。

    過流保護如果想得到較安全的過流保護,，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器,、快速過電流繼電器,、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓,；②,、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器,。模塊輸入,、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流,。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端,，負載接輸出端。2,、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短,，也會造成元件反向擊穿損壞,。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通,，它不僅使電路工作失常,，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞,。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓,。模塊的過壓保護,，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時,，和開關(guān)電路一樣,，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。

    使設(shè)備進入穩(wěn)態(tài)運行,。若一次起動不成功,，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時,，它激信號便會一直掃描到比較低頻率,，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動,，把它激信號再推到比較高頻率,，重新掃描一次，直至起動成功,，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號,，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號,，輸入到IC6的30角，由IC6的15P,、16P輸出的逆變觸發(fā)信號,。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5,、Q6,。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2,；同時又由IC7B進行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表,。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù),。另外,，當發(fā)生過電壓保護時，IC6內(nèi)部的過電壓保護振蕩器起振,，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器,，其輸出控制IC6內(nèi)部重復起動電路,。過電流保護信號經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P,，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器,。過電流觸發(fā)器動作后,，只有通過復位信號或通過關(guān)機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行,。正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升,。

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管,，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負阻半導體器件,。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類,。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”,，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η,，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例,。②峰點電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓,，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP,。③谷點電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓,，其所對應的發(fā)射極電流叫做谷點電流IV,。[4]單結(jié)晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E,、基極B1和第二基極B2,。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負阻性,，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）,。當發(fā)射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結(jié)處于正向偏置,，單結(jié)管導通,。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體,，導致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小,，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負阻特性,。[6]檢測單結(jié)晶體管時,，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣是多層次的模式與管理模式,。聊城MTAC600晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正,，若com端為負極,，極性相反,，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2,、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性,，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高,。

3,、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用,，則輸入信號較強的一種起主要作用,。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進下出,，三相交流電路的進線R,、S、T無相序要求,，導線粗細按實際使用電流選擇,。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用,，用1平方細導線即可,，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)計。

6,、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象，應首先檢查負載有無短路等故障,?？稍谀K的進線R、S,、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護,，規(guī)格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7,、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應與散熱器配合使用,，在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱,。 青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

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