可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的,，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢,？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。 淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進(jìn)發(fā)展為宗旨。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好

選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面,，應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇,，選用可控硅模塊的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s,，風(fēng)溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm,，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa,。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8,；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃,；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃,；

(6)氣壓86—106Kpa,；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合,，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn),，證明工作可靠方可使用。 遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手,、共創(chuàng)輝煌,。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因,。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障,；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),，可控硅模塊會立即損壞。因此,，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,，對可控硅模塊非常危險(xiǎn),。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T,。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率,，因元件開關(guān)損耗明顯增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用,。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音;效率高，成本低等等,。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天,。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。

這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊哪家好

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可控硅模塊的分類：

1,、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

4,、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

5,、以關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。

6、過零觸發(fā),，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7,、非過零觸發(fā)，無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,，常見的是移相觸發(fā),。

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