[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管,，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件,。常見(jiàn)的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類,。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”,，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η,，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例,。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓,，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP,。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓,，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV,。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E,、基極B1和第二基極B2,。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性,，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）,。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí),，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通,。隨著發(fā)射極電流IE的增加,，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小,，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性,。[6]檢測(cè)單結(jié)晶體管時(shí),，萬(wàn)用表置于“R×1k”擋。選擇正高電氣,，就是選擇質(zhì)量,、真誠(chéng)和未來(lái)。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    軟啟動(dòng)器可分為有級(jí)和無(wú)極兩類,，前者的調(diào)節(jié)是分檔的,；后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動(dòng)器均是有級(jí)的,。下面我們就是主要介紹下無(wú)級(jí)類,，它們是液阻軟起動(dòng)、磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng),。在電動(dòng)機(jī)定子回路,，通過(guò)串入有限流作用的電力電子器件實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)，叫做降壓或者限流軟起動(dòng),，它是軟起動(dòng)中的一個(gè)重要類別,。按限流器件不同可分為：以電解液限流的液阻軟起動(dòng)，以磁飽和電抗器為限流啟動(dòng)的磁控軟啟動(dòng),，以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動(dòng),。變頻調(diào)速器也是一種軟起動(dòng)裝置，它是比較理想的一種,，它可以在限流同時(shí)保持高的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩,。價(jià)格貴是制約其作為軟起動(dòng)應(yīng)用的重要因素，它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中,。一,、液阻軟起動(dòng)器液阻是一種由電解液形成的電阻，它導(dǎo)電的本質(zhì)是離子導(dǎo)電,。它的阻值正比相對(duì)的二塊電極板的距離,，反比于電解液的電導(dǎo)率，極板距離和電導(dǎo)率都便于控制,；液阻的熱容量大,。液阻的這兩大特點(diǎn)（阻值可以無(wú)級(jí)控制和熱容量大）,，恰恰是軟起動(dòng)所需要的。液阻軟起動(dòng)也有缺點(diǎn)：一是液阻箱容積大,，其根源在于阻性限流,，減小容積引起溫升加大。一次軟起動(dòng)后電解液通常會(huì)有10-30攝氏度的溫升,，使軟啟動(dòng)的重復(fù)性差,。二是移動(dòng)極板需要有一套伺服機(jī)構(gòu)，它的移動(dòng)速度較慢,。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧,。

    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞，那么,，我們就要了解過(guò)電壓保護(hù),，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過(guò)電壓損壞,。要保護(hù)晶閘管,，就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免,。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感,，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此,，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法,。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的,。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的,。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容,、漏抗造成的諧振回路,、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高,。

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的,。無(wú)接觸的。非機(jī)械式的,，這就為微電子技術(shù)打開(kāi)了大門(mén),。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的,。說(shuō)磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止,，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此,。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別,，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有,，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來(lái)說(shuō),，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的,。有人說(shuō)磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的,。只要飽和,。就一定會(huì)有非線性，就一定會(huì)引起高次諧波,，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些,。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處,。三,、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問(wèn)世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出,，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**,。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比,，它體積小,，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小,，功能齊全,，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好,，保護(hù)周全,，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問(wèn)題,。

    以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。目前,，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極,，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定,。濟(jì)南MTAC480晶閘管智能模塊報(bào)價(jià)

正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商

    水冷裝置在作此項(xiàng)調(diào)試時(shí),，必須通水冷卻,。當(dāng)調(diào)試場(chǎng)地的電源供不出裝置的額定電流時(shí)，額定電流的整定,，可放在現(xiàn)場(chǎng)滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)進(jìn)行,。但是，應(yīng)先在小電流的狀況下,，判定一下電流取樣回路的工作是否正常,。（W5）主控板上的DIP開(kāi)關(guān)均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小,。把示波器接在Q5或Q6的管殼上,，測(cè)逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過(guò)W6來(lái)調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器,，使頻率表的讀數(shù)與示波器測(cè)得的相一致,。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試,。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表,，這一方面是可以測(cè)得比較高它激頻率,，另一方面是價(jià)格便宜,。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門(mén)級(jí)線連接是否正確，逆變未級(jí)上的LED亮度是否正常,，不亮則說(shuō)明逆變末級(jí)的E和C接線端子接反了,；再把主控板上CON3-5對(duì)外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級(jí)是否處在逆變橋的對(duì)角線位置,。把主控板上的DIP開(kāi)關(guān)均撥在OFF位置,，把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器,，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的,，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置,。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針稍微旋大,，這時(shí)它激頻率開(kāi)始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。山東MTDC55晶閘管智能模塊供應(yīng)商

淄博正高電氣有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,，集企業(yè)奇思,，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖,，在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù),，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念,，市場(chǎng)是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,，全體上下,，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退,，**協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度,，未來(lái)淄博正高電氣供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái),，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲,，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,，放飛新的夢(mèng)想,！