如果所裝的中頻電源不需要復(fù)位功能、報(bào)警功能,、內(nèi)接頻率表的話,，端子CON2-6、CON2-1,、CON3-8,、CON3-9便可不用。11,、應(yīng)用舉例圖示為一臺(tái)KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖,，可作為其它裝置原理設(shè)計(jì)的參考，由于控制電路已經(jīng)對(duì)開機(jī),，關(guān)機(jī)的邏輯進(jìn)行了設(shè)計(jì),，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序,。12,、調(diào)試一臺(tái)20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時(shí),，注意“地線”千萬(wàn)不能接,，示波器外殼對(duì)地需絕緣，*使用一蹤探頭,，示波器的X軸,、Y軸均需較準(zhǔn)，探頭需在測(cè)試信號(hào)下補(bǔ)償好,。若無(wú)高壓示波器探頭,，應(yīng)用電阻做一個(gè)分壓器，以適應(yīng)600V以上電壓的測(cè)量,。一個(gè)≤500Ω,、≥500W的電阻性負(fù)載,。為了調(diào)試的安全，調(diào)試前,，應(yīng)該使逆變橋不工作,。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個(gè)≤500Ω,、≥500W的電阻性負(fù)載,。電路板上的IF微調(diào)電位器W1順時(shí)針旋至比較**（調(diào)試過程發(fā)生短路時(shí)，可以提供過流保護(hù)）,。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置,；用示波器做好測(cè)量整流橋輸出直流電壓波形的準(zhǔn)備；把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小,。送上三相供電（可以不分相序）,，檢查是否有缺相報(bào)警報(bào)示，若有,，可以檢查進(jìn)線快速熔斷器是否損壞,。把面板上的“給定”電位器順時(shí)針旋大。正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

    構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)銅,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示,。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝,，提高技術(shù)水平,。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無(wú)功補(bǔ)償中一個(gè)重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器,，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān),，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大,，嚴(yán)重時(shí),，會(huì)發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器,，在無(wú)功負(fù)荷動(dòng)搖大,，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運(yùn)用壽命短,，需求經(jīng)常停止檢修的問題,。一般使用于負(fù)荷穩(wěn)定，投切次數(shù)較少的場(chǎng)合,?？煽毓柰肚虚_關(guān)，具有零電壓投入,、零電流切除,，投切過程無(wú)涌流，對(duì)電網(wǎng)無(wú)沖擊,，反響速度快等特性,，會(huì)產(chǎn)生很高的溫升，需求運(yùn)用**散熱器,，來(lái)處理其通風(fēng)散熱問題,，一般應(yīng)用于負(fù)荷急劇變化的需頻繁投切的場(chǎng)合。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應(yīng)廠商,，嚴(yán)格把控產(chǎn)品細(xì)節(jié),，努力為客戶提供完善的服務(wù)。我司**產(chǎn)品主要包含德國(guó)進(jìn)口可控硅,、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）,、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器,、冷卻風(fēng)機(jī)等,，能實(shí)現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護(hù)的功能，可提高可控硅的運(yùn)行穩(wěn)定性。

晶閘管智能模塊導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系

晶閘管模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的較大電流有直接關(guān)系,，模塊的標(biāo)稱電流是較大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的較大電流,。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大,，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。因此，模塊應(yīng)選擇在極較大導(dǎo)通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上,。 正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題,。

    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞,，那么，我們就要了解過電壓保護(hù),，保護(hù)晶閘管模塊,，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管,，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的,？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對(duì)過電壓很敏感,，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此,，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法,。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的,。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的,。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路,、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地，開閉速度越快過電壓越高,。正高電氣傾城服務(wù),，確保產(chǎn)品質(zhì)量無(wú)后顧之憂。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中,，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路,。我們知道,，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率,。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開通,。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況,。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成,。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近,，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0,。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過電容C0,，并通過J3結(jié),，這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí),，陽(yáng)極電壓上升速度太快,，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下,，晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,，即常說(shuō)的硬開通，這是不允許的,。因此,，對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制,。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行,，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò),。山東MTDC400晶閘管智能模塊哪家好

淄博正高電氣有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),，在發(fā)展過程中不斷完善自己,，要求自己，不斷創(chuàng)新,，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,，在山東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng),、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同淄博正高電氣供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài),，更認(rèn)真的態(tài)度,，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏,，去努力,，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！