可控硅模塊與其它功率器件一樣,，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,，就會(huì)引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升,。致使器件特性惡化，直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗,。為了確保器件長期可靠地工作，設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,，千萬不可大意,！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷,、熱管冷卻,、水冷,、油冷等?？紤]散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫淄博正高電氣有限公司堅(jiān)持“顧客至上,，合作共贏”。山東雙向可控硅模塊組件

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光,、勵(lì)磁、電鍍,、電解,、充放電、電焊機(jī),、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè),、通訊、**等各類電氣操控,、電源等,，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功用，并可結(jié)束過流,、過壓,、過溫、缺持平維護(hù)功用,。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào),，經(jīng)過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程,。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表,、核算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法,；操控信號(hào)選用0～5V,，0～10V，4～20mA三種對(duì)比常用的操控辦法,。

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。

2 對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM,。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅,。

4 對(duì)維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,，則IH越小,。

5 對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容,。

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),，可控硅才能導(dǎo)通。由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,，即高于電流IL,。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小,。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值,，或添加反向陽極電壓,。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,，滿足客戶需求。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊,。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公司一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容,。山東雙向可控硅模塊組件

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過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因,。

可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感,，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障,；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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