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德州可控硅模塊廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-06

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,,如工業(yè),、通訊、**等各類電氣操控,、電源等,,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動等功用,并可結(jié)束過流,、過壓,、過溫,、缺持平維護(hù)功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號,,經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤調(diào)度,,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表,、核算機(jī)D/A輸出,,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,,0~10V,,4~20mA三種對比常用的操控辦法。

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,?以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,,當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí),,可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),,可控硅模塊會立即損壞,。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn),,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,,對可控硅模塊非常危險(xiǎn)。


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可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用,。對此,,在選用可控硅的額定電壓時(shí),應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,,并留出一定的余量,。

1、選用可控硅的額定電流時(shí),,除了考慮通過元件的平均電流外,,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。

2、使用可控硅之前,,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換,。

3,、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況,。

4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱,。

5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。

6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。

可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱,。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,,就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,,直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗,、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗。為了確保器件長期可靠地工作,設(shè)計(jì)時(shí)散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,,千萬不可大意,!散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷,、熱管冷卻,、水冷、油冷等,??紤]散熱問題的總原則是:控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫淄博正高電氣有限公司是多層次的組織與管理模式。

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可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,,共有三個(gè)PN結(jié),,分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,。當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),,如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號,,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,,其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2,。此時(shí),,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,,表成正反饋,使ib2不斷增大,,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,,兩個(gè)管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通,。

 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),,由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。

  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù),,確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂,。德州可控硅模塊廠家

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可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ),、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。德州可控硅模塊廠家

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