可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,，它的應(yīng)用范圍是非常廣的,，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢,？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法,。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通,。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司以***,，高質(zhì)量的產(chǎn)品,，滿足廣大新老用戶的需求?？煽毓枘K品牌

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機,、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,，如工業(yè),、通訊、**等各類電氣操控,、電源等,，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動等功用，并可結(jié)束過流,、過壓,、過溫、缺持平維護功用,。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個可調(diào)的電壓或許電流信號,，經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數(shù)導(dǎo)通的進程,。

電壓或電流信號可取自各種操控外表,、核算機D/A輸出,，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V,，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法,。

可控硅鑒別三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來,。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。

  若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制,、調(diào)光、勵磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機,、等離子弧,、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合，如工業(yè),、通信,、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控,、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定,、電壓穩(wěn)定和軟啟動,。并可結(jié)束過流、過電壓,、過溫,、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門**的學(xué)科,。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度,。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,？以及過電壓產(chǎn)生的原因,。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時,，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障,；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此,，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險,。

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任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外,，可控硅模塊使用時間長了,，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞,，并且降低使用壽命,，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,，溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃),。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定,，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行,，被測減速機在符合規(guī)定時,，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

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