斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應完好,，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時,，可控硅應當導通,，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,，才是符合設(shè)計使用要求的,。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單,，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,，就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),，此兩個阻值均應很大,。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小,。如果測得的阻值很低,，或近于無窮大，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,，此可控硅不能使用了,。 淄博正高電氣有限公司尊崇團結(jié)、信譽,、勤奮,。河南大功率可控硅模塊組件

可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳,、9腳和15腳三種辦法，別離對應于5芯,、9芯,、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口,，其他為空腳,，選用電流信號的9腳為信號輸入，操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊,。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號,，請一一對應，不要接反,。以上六個端口為模塊根柢端口,，其它端口為分外端口，只在具有多功用商品中運用,，一般調(diào)壓商品其他腳為空腳,。 河南大功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨特的特性：當陽極連接到反向電壓時,，或陽極連接到正向電壓時,，但控制極不增加電壓，則不會導通,，當陽極和控制極同時連接到正向電壓時，將變?yōu)榻油顟B(tài),。一旦接通,，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,，無論控制電壓的極性如何,，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉,，只能將陽極電壓降到某個臨界值或反向,。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時）,。當改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時,，其接通電流的大小可以改變。

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,，它的應用范圍是非常廣的,，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢,？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法,。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發(fā)導通,。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早,；Ug到來得晚,，可控硅模塊導通的時間就晚。 淄博正高電氣有限公司以***,，高質(zhì)量的產(chǎn)品,，滿足廣大新老用戶的需求。

可控硅模塊又叫晶閘管,，自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管,、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管,、快速晶閘管,，等等。現(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié),，對外有三個電極：首層P型半導體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號可以看到,，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G,，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。廣西大功率可控硅模塊組件

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞,，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,，當正向電壓超過udrm值時,，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時,，可控硅模塊會立即損壞,。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn),，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,，對可控硅模塊非常危險。

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