硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用,，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線(xiàn)性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，了過(guò)電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱(chēng)電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí),，其兩端的電壓值,。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次,，標(biāo)稱(chēng)電壓變化在-10[[[%]]]以?xún)?nèi)的比較大沖擊電流值來(lái)表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù),，標(biāo)稱(chēng)電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0,，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量,。正高電氣多方位滿(mǎn)足不同層次的消費(fèi)需求。濟(jì)寧大功率晶閘管模塊組件

晶閘管模塊也被稱(chēng)為晶體閘流管,，也被稱(chēng)為可控硅模塊：它是一種功率半導(dǎo)體器件,。它具有容量大、效率高,、可控性好,、使用壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn),。它是弱電控制與受控強(qiáng)電之間的橋梁,。從節(jié)能的角度看，電力電子技術(shù)被稱(chēng)為新的電氣技術(shù),。我國(guó)能源利用率相對(duì)較低,。按國(guó)民生產(chǎn)單位產(chǎn)值能耗計(jì)算。因此,，所以晶閘管為**的電控裝置是我國(guó)有效節(jié)能的重要措施,。

晶閘管模塊是過(guò)去市場(chǎng)上常用的一種集成模塊。根據(jù)不同的電流規(guī)格,，它可以形成各種形式和電流規(guī)格的電路,。MTC模塊是一種單臂橋式模塊。根據(jù)芯片電流規(guī)格,，它可以形成三個(gè)不同功率的（單）交（整）流電路,。 菏澤反并聯(lián)晶閘管模塊組件正高電氣愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開(kāi)拓。

    三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓,，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，*在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,，不論門(mén)極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后,，門(mén)極失去作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。

晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開(kāi)關(guān)損耗和柵極損耗組成,。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗,。為了保證器件的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行,，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流,、電壓額定值的選擇同等重要,，不容忽視,！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷,、強(qiáng)制空冷,、熱管冷卻,、水冷,、油冷等,?？紤]散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度,。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1,、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積,。

2,、晶閘管模塊的使用環(huán)境,。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來(lái)確定何種冷卻方式,，包括自然冷卻,、強(qiáng)制風(fēng)冷和水冷,。

3,、設(shè)備的形狀和體積，為散熱預(yù)留空間的大小,，根據(jù)這種情況來(lái)確定散熱器的形狀。 正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶(hù)攜手并進(jìn)！

    3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,，換相振蕩過(guò)電壓也越大,。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可以采取不同的方法,，如減少過(guò)電壓源，并使過(guò)電壓幅值衰減,；過(guò)電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑,；采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等,。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有較高的頻率,，因此常用電容作為吸收元件,，為防止振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間,。吸收電路比較好選用無(wú)感電容，接線(xiàn)應(yīng)盡量短,。,。5）由硒堆及壓敏電阻等非線(xiàn)性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,，過(guò)電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件,。正高電氣材料竭誠(chéng)為您服務(wù),，期待與您的合作！鞍山單相交流調(diào)壓模塊

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    紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值,，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極,。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極,，電阻為無(wú)窮大；然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,，加上正向觸發(fā)信號(hào)，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通,；脫開(kāi)G極,，只要GTO維持通態(tài),，就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,，如圖2(b)所示,，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,，紅表筆接G極,，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),，如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置,，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),，先不接入表Ⅱ,，記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1,；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2,。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù),；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是,。不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí),，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,。濟(jì)寧大功率晶閘管模塊組件

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