當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),，晶閘管就會(huì)立即損壞,。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法,。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的,。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型,。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的,。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類(lèi)：（1）交流電源接通,、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓,，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路,、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高,，在空載情況下斷開(kāi)回路將會(huì)有更高的過(guò)電壓,。。2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大,，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓,。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合,。,。正高電氣一起不斷創(chuàng)新、追求共贏,、共享全新市場(chǎng)的無(wú)限商機(jī)。行吊晶閘管智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家

    它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷,。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff,，它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極比較大負(fù)向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng),。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極,。河北穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊配件正高電氣運(yùn)用高科技,，不斷創(chuàng)新為企業(yè)經(jīng)營(yíng)發(fā)展的宗旨。

晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn)：

1,、芯片與基板電絕緣,，電壓2500V；

2,、 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；

3、壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和動(dòng)力循環(huán)能力,；

4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；

5,、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷,，300A以上模塊，可以選擇風(fēng)冷或水冷,。

6,、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便,，體積小,，重量輕。

典型應(yīng)用：

直流電源,、交流開(kāi)關(guān),、焊接設(shè)備、電機(jī)控制,、調(diào)光,、變頻器、UPS電源,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),、電機(jī)軟起動(dòng)、蓄電池充放電,、靜態(tài)無(wú)功功率補(bǔ)償,、工業(yè)加熱控制、各種整流電源,。

    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別,？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，這種可控硅模塊的體積非常的小,，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,，可控硅模塊的類(lèi)型非常的多,，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,，很多人不是很清楚兩者之間的差異,，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,，這就是講低于160A的模塊,，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的,?？煽毓枘K②從外形方面來(lái)講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型,，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的,。③眾所周知,，壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的，有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀(guān),，除此之外從價(jià)格方面來(lái)講，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低,。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC,，MFC，MDC,，MDQ,，MDS)，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),。正高電氣經(jīng)營(yíng)理念：前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品,、前列的服務(wù),。

    在快速無(wú)功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC,，,。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，有餅式的,、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式,。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同,。TSC要求在晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),，確定晶閘管電壓過(guò)零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào),，另一種是從晶閘管的陽(yáng)極和陰極取得過(guò)零信號(hào),。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無(wú)電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示,。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過(guò)零觸發(fā),，電流過(guò)零斷開(kāi)，無(wú)沖擊電流,；2.光電隔離,，抗干擾能力強(qiáng),，響應(yīng)時(shí)間＜15ms；3.德國(guó)經(jīng)典觸發(fā)及保護(hù)電路,，全正弦波切換,，運(yùn)行安全無(wú)諧波；4.特有**散熱片,，無(wú)軸流風(fēng)機(jī),，主動(dòng)散熱，運(yùn)行無(wú)噪聲,，組件免維護(hù),，使用壽命長(zhǎng)；5.內(nèi)置過(guò)溫（85℃）保護(hù),；6.三色LED信號(hào)燈分別顯示開(kāi)關(guān)通電狀態(tài),、運(yùn)行狀態(tài)、故障狀態(tài),；7.兼容性強(qiáng),，可與全球各種規(guī)格無(wú)功補(bǔ)償控制器配套；8.導(dǎo)通壓降低,，開(kāi)關(guān)損耗小,，降低用戶(hù)能耗。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶(hù)攜手并進(jìn),！青島反并聯(lián)晶閘管模塊配件

正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能，將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來(lái),。行吊晶閘管智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家

    產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,，門(mén)極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為,，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源,，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,。不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn),。行吊晶閘管智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠(chǎng)家

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景,、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治,、展望未來(lái),、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司,，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明,，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在山東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶(hù)粉絲源,，也收獲了良好的用戶(hù)口碑,，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**淄博正高電氣供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績(jī),，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展,、誠(chéng)實(shí)守信的方針,，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取,，以品質(zhì),、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上,！