正高可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K,、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2),、控制極G三個引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān),。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。海南小功率可控硅模塊組件

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,，無論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時A1,、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,，雙向可控硅才截斷,，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。

淄博正高電氣有限公司,，生產(chǎn)各類規(guī)格型號的晶閘管智能模塊,、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊,、整流橋模塊,、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,，真誠期待與各公司和采購人員的合作,，提供價格低廉、質(zhì)量可靠的電子元件,。 海南小功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司以***,，高質(zhì)量的產(chǎn)品，滿足廣大新老用戶的需求,。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢,，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展。

可控硅模塊的接線方法

可控硅模塊在電力工業(yè)中占有重要地位,。很多人知道可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)和使用方法,，但不知道如何連接可控硅模塊。我們來談?wù)効煽毓枘K的連接方法,。

單個晶閘管反向并聯(lián),。記得增加RC保護(hù)電路?？刂平涣麟?，單向晶閘管一定要反向并聯(lián)，因此2和3應(yīng)短接使用,。

可控硅的介紹：

這是一種由三個晶閘管引起的共正晶閘管模塊,，主要用于三相半波整流電路,。

或者三相全控橋可以由一個普通的負(fù)三相半波整流器構(gòu)成,。

調(diào)速器：紅色，藍(lán)色,，黑色,，3根電線，紅色電池正極,，黑色電池負(fù)極,，藍(lán)色連接電機(jī)負(fù)極，電機(jī)正極帶一根線到電池正極,。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,，以質(zhì)量服務(wù)求生存。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,，存在導(dǎo)通角問題,，負(fù)載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度,。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實際

K ：安全系數(shù),，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2,；

I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流,； U實際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）,；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值,。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系,。海南小功率可控硅模塊組件

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雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,，但我們不再稱其兩極為陰陽極,，而是稱作T1和T2極，G為控制極,，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的,。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,，但是它過載能力差，短時間的過流,，過壓都會造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,，否則控制極將不起作用,；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取,；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外,，還必須采取保護(hù)措施,，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),，當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些,，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓,。由于，過電壓的尖峰高,，作用時間短,，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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