晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗,。為了保證器件的長期可靠運行,，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計中電流、電壓額定值的選擇同等重要,，不容忽視,！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻,、水冷、油冷等,?？紤]散熱的一般原則是，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度,。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1,、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。

2,、晶閘管模塊的使用環(huán)境,。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻,、強(qiáng)制風(fēng)冷和水冷,。

3、設(shè)備的形狀和體積,，為散熱預(yù)留空間的大小,，根據(jù)這種情況來確定散熱器的形狀。 正高電氣我們完善的售后服務(wù),，讓客戶買的放心,，用的安心。萊蕪小功率晶閘管模塊報價

    AA）替代國外模塊型號ZX5WSMNBK雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器200AMTG100A/800VMTG（AA）60A/400V三社（SanRex）PWB60A,；三菱（MITSUBI）TM60SZ-M,；TM60SA-6250A315AMTG150A/800VMTG（AA）80A/400VSanRexPWB90A；MITSUBITM100SZ-MTM90SA-6英達(dá)PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG（AA）130A/400VSanRexPWB130A,；MITSUBITM130SZ-M,；英達(dá)PFT1303N500A630AMTG250A/800VMTG（AA）160A/400VMITSUBITM150SZ-M；英達(dá)PFT1503NMTG300A/800VMTG（AA）200A/400VSanRexPWB200AA,；MITSUBITM200SZ-M英達(dá)PFT2003N,；注：上表中MTG型為普通壓降模塊；MTG（AA）為低電壓低導(dǎo)通壓降型模塊,。l焊機(jī)用模塊電流和電壓計算：我公司MTG,、MTG（AA）焊機(jī)**模塊可以使用在很多不同型號規(guī)格的焊機(jī)中，如ZX5普通焊機(jī),；WSM直流氬弧焊機(jī),；NBKCO2氣體保護(hù)焊機(jī)。這些焊機(jī)目前都采用流行的雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路形式,，如下圖：（雙反星并聯(lián)帶平衡電抗器主回路）2該線路相當(dāng)于正極性和反極性兩組三相半波整流電路并聯(lián),。每只晶閘管的比較大導(dǎo)通角為120o，負(fù)載電流Id同時由兩個晶閘管和兩個變壓器繞組供給，每只管子承擔(dān)1/6的Id,，任何瞬時,，正，負(fù)極性組均有一支電路導(dǎo)通工作,。2該線路提高了變壓器利用率,。福建快恢復(fù)晶閘管模塊哪家好正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù)。

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一,、產(chǎn)品特點：1,、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓,；2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3,、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù),；4、壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；6,、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊,，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷；7,、安裝簡單,，使用維修方便，體積小,，重量輕,。二、型號說明：三,、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四,、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1,、交直流電機(jī)控制,；2、各種整流電源,；3,、工業(yè)加熱控制,；4、調(diào)光,；5,、無觸點開關(guān)；6,、電機(jī)軟起動,；7、靜止無功補嘗,；8,、電焊機(jī),；9,、變頻器；10,、UPS電源,；11、電池充放電,。說明：,，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測試值;,，在50HZ頻率下,，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=,。

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例,，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,，但應(yīng)當(dāng)說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能,、方法,、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2,、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中,，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進(jìn)行投切控制,。所述晶閘管單元包括：壓塊7,、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11。其中,，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上,，并通過所述門極壓接式組件8對所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11施加壓合作用力,，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上,。為了實現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11與銅底板3的固定連接,。正高電氣智造產(chǎn)品，制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心,。

    它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,，測量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級,。廣西工業(yè)窯爐晶閘管智能調(diào)壓模塊

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    電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件,，如晶閘管、晶體管,、場效應(yīng)管,、可控硅、繼電器等,。其中,，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此,，針對上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,，其包括：外殼,、蓋板、銅底板,、形成于所述蓋板上的接頭,、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,；所述晶閘管單元包括：壓塊,、門極壓接式組件、導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板，所述壓塊設(shè)置于所述門極壓接式組件上,，并通過所述門極壓接式組件對所述導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力,，所述導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上,；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊,、第二門極壓接式組件、第三導(dǎo)電片,、鉬片,、銀片、鋁片,，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上,。萊蕪小功率晶閘管模塊報價

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