賽瑞達智能電子裝備（無錫）有限公司2025-03-08

在氧化過程中,，首先由氣體供應系統(tǒng)向爐內(nèi)通入適量的氧氣。加熱系統(tǒng)將爐內(nèi)溫度升高到適合氧化反應的溫度范圍,，一般根據(jù)不同材料和工藝要求,，溫度在幾百攝氏度到上千攝氏度不等。例如在半導體硅片氧化時,，溫度?？刂圃?900 - 1200℃。硅片表面的硅原子與氧氣發(fā)生化學反應,，生成二氧化硅（SiO?）,。反應方程式為：Si + O? → SiO? 。通過精確控制氧氣流量,、溫度以及反應時間,，可以精細調(diào)控氧化膜的厚度和質(zhì)量。氣體供應系統(tǒng)的流量穩(wěn)定性和溫度控制系統(tǒng)的精度對氧化過程的順利進行和氧化膜的一致性至關重要,。?

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