賽瑞達(dá)智能電子裝備（無(wú)錫）有限公司2025-03-08

在氧化過(guò)程中,，首先由氣體供應(yīng)系統(tǒng)向爐內(nèi)通入適量的氧氣,。加熱系統(tǒng)將爐內(nèi)溫度升高到適合氧化反應(yīng)的溫度范圍，一般根據(jù)不同材料和工藝要求,，溫度在幾百攝氏度到上千攝氏度不等,。例如在半導(dǎo)體硅片氧化時(shí)，溫度?？刂圃?900 - 1200℃,。硅片表面的硅原子與氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO?）,。反應(yīng)方程式為：Si + O? → SiO? ,。通過(guò)精確控制氧氣流量、溫度以及反應(yīng)時(shí)間,，可以精細(xì)調(diào)控氧化膜的厚度和質(zhì)量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)的流量穩(wěn)定性和溫度控制系統(tǒng)的精度對(duì)氧化過(guò)程的順利進(jìn)行和氧化膜的一致性至關(guān)重要,。?

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