一插片,、第二插片之間通過(guò)線圈架隔開(kāi)，可以明顯增大爬電距離,，從而提高了電氣性能和可靠性,，提升了產(chǎn)品質(zhì)量,；而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側(cè)，減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個(gè)繞組的二次損傷,。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的圖,。圖3為本實(shí)用新型線圈架的結(jié)構(gòu)示意圖,。圖4為本實(shí)用新型整流橋堆的構(gòu)示意圖,。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好的理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚,、完整的描述。如圖1-4所示,，一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),，包線圈架1,、繞組、插片組件及塑封殼,，其中所述線圈架1為一塑料架,，該線圈架1包括架體10,、設(shè)在架體10上部的一限位凸部101及設(shè)在所述架體10下部的第二限位凸部102，所述一限位凸部101為與所述架體10一體成型的環(huán)片,，所述第二限位凸部102與所述架體10一體成型的環(huán)片；在所述架體10上繞有的銅絲以形成所述繞組,；在所述線圈架1上套入有塑封殼,，所述塑封殼為常規(guī)的塑料外殼，該塑封殼與所述架體10相連以包著繞組,。進(jìn)一步的,，所述插接片組件包括一插片21和兩個(gè)第二插片22,，所述一插片21為銅金屬片，該一插片21為兩個(gè),。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了,，分全橋和半橋,。浙江國(guó)產(chǎn)整流橋模塊銷(xiāo)售

請(qǐng)參閱圖1～圖7,。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想,，遂圖式中顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目,、形狀及尺寸繪制,，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。實(shí)施例一如圖1所示,，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括：塑封體11,，設(shè)置于所述塑封體11邊緣的多個(gè)管腳,，以及設(shè)置于所述塑封體11內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管,、邏輯電路、高壓供電基島13及信號(hào)地基島14,。如圖1所示,，所述塑封體11呈長(zhǎng)方形,，用于將引線框架及器件整合在一起,，并保護(hù)內(nèi)部器件。在本實(shí)施例中,，所述塑封體11采用sop8的外型尺寸，以此可與現(xiàn)有塑封體共用,，進(jìn)而減小成本,。在實(shí)際使用中,，可根據(jù)需要采用其他外型尺寸，不以本實(shí)施例為限,。如圖1所示,，各管腳設(shè)置于所述塑封體11的邊緣,。具體地，在本實(shí)施例中,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1包括火線管腳l、零線管腳n,、高壓供電管腳hv,、信號(hào)地管腳gnd,、漏極管腳drain及采樣管腳cs。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,。內(nèi)蒙古進(jìn)口整流橋模塊供應(yīng)整流橋,，就是將橋式整流的四個(gè)二極管封裝在一起,，只引出四個(gè)引腳,。

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上)，能實(shí)現(xiàn)電連接即可,，不限于本實(shí)施例。需要說(shuō)明的是,，所述整流橋可基于不同類(lèi)型的器件選擇不同的基島實(shí)現(xiàn)，不限于本實(shí)施例,，任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可，在此不一一贅述,。如圖1所示，在本實(shí)施例中,，所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,，所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào)),；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd,。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain,，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs,。在本實(shí)施例中,，所述控制芯片12的底面為襯底，通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,，通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接,；漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs,。

大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”,、“～”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“一”為輸出電壓的負(fù)極，兩個(gè)“～”為交流電壓輸入端),，很容易確定出各電極,。檢測(cè)時(shí),，可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“～”極、“一”極與兩個(gè)“～”之間各整流二極管的正,、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常，即可判斷該全橋是否損壞,。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正,、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,，則可判斷該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成,，檢測(cè)時(shí)，可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正,、反向電阻值,。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl,，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得其正,、反向均有一定電阻值，則說(shuō)明該高壓硅堆已被擊穿損壞,。肖特基二極管的檢測(cè)二端肖特基二極管可以用萬(wàn)用表Rl擋測(cè)量,。正常時(shí),，其正向電阻值(黑表筆接正極)為～，反向電阻值為無(wú)窮大,。若測(cè)得正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均接近O,，則說(shuō)明該二極管已開(kāi)路或擊穿損壞,。三端肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端，判別出是共陰對(duì)管，還是共陽(yáng)對(duì)管,，然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正,、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法,。整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。

如上所述,，本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，具有以下有益效果：本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋,、功率開(kāi)關(guān)管,、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,，以此減小封裝成本。附圖說(shuō)明圖1顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的一種實(shí)現(xiàn)方式,。圖2顯示為本實(shí)用新型的電源模組的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖3顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)現(xiàn)方式,。圖4顯示為本實(shí)用新型的電源模組的另一種實(shí)現(xiàn)方式,。圖5顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖6顯示為本實(shí)用新型的電源模組的又一種實(shí)現(xiàn)方式,。圖7顯示為本實(shí)用新型的電源模組的再一種實(shí)現(xiàn)方式,。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明1合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)11塑封體12控制芯片121功率開(kāi)關(guān)管122邏輯電路13高壓供電基島14信號(hào)地基島15漏極基島16火線基島17零線基島18采樣基島具體實(shí)施方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式,，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效,。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用,，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。整流橋的作用就是能夠通過(guò)二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動(dòng)的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電,。內(nèi)蒙古進(jìn)口整流橋模塊供應(yīng)

按整流變壓器的類(lèi)型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器,。浙江國(guó)產(chǎn)整流橋模塊銷(xiāo)售

以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管,、邏輯電路,、至少兩個(gè)基島；其中,，所述整流橋的一交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳，第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳,，一輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳，第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳,；所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端輸出邏輯控制信號(hào),，高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,，采樣端口連接所述采樣管腳，接地端口連接所述信號(hào)地管腳,；所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),，漏極連接所述漏極管腳，源極連接所述采樣管腳,；所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi),?？蛇x地，所述火線管腳,、所述零線管腳,、所述高壓供電管腳及所述漏極管腳與臨近管腳之間的間距設(shè)置為大于,。可選地,，所述至少兩個(gè)基島包括漏極基島及信號(hào)地基島,；當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管粘接于所述漏極基島上時(shí)，所述漏極管腳的寬度設(shè)置為～1mm,；當(dāng)所述功率開(kāi)關(guān)管設(shè)置于所述信號(hào)地基島上時(shí),，所述信號(hào)地管腳的寬度設(shè)置為～1mm,?？蛇x地,，所述至少兩個(gè)基島包括高壓供電基島及信號(hào)地基島；所述整流橋包括一整流二極管,、第二整流二極管、第三整流二極管及第四整流二極管,。浙江國(guó)產(chǎn)整流橋模塊銷(xiāo)售