晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類,。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管,。除了作為放大,、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等,。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外,，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路,。,。。,。在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),。虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管,、檢波二極管,、變頻二極管、變?nèi)荻O管,、開關(guān)二極管,、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等,。此外,，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等,。它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,，其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱為集電結(jié),。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū),。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺,。

半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生,、控制,、接收、變換,、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,。半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,，可用作整流器,、振蕩器、發(fā)光器,、放大器,、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,，有時(shí)也稱為分立器件,。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料,、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)

此外,，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用,，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場很強(qiáng),。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí),，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管,、檢波二極管,、變頻二極管、變?nèi)荻O管,、開關(guān)二極管,、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等,。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管,，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等,。其中MOS場效應(yīng)管使用泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,。

場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)）,，使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏,?？刂茩M向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）,；③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上,。B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵,。虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法,。虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件,、復(fù)合管,、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三,、四,、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目,。2-二極管,、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性,。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料,、C-N型硅材料,、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料,、B-NPN型鍺材料,、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料,。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型,。P-普通管虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么

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