第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,，由五至七部分組成,。通常只用到**個(gè)部分,，其各部分的符號(hào)意義如下：***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管,、1-二極管,、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件,、┄┄依此類(lèi)推,。③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）。虹口區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類(lèi)型,。P-普通管,、V-微波管、W-穩(wěn)壓管,、C-參量管,、Z-整流管、L-整流堆,、S-隧道管,、N-阻尼管、U-光電器件,、K-開(kāi)關(guān)管,、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W),、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管,、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件,、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管,、JG-激光器件,。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)虹口區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備維修美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下。

③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用*****,。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性,。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),，它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息,，控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通?？梢杂米餮舆t線和存儲(chǔ)器等,；配上光電二極管列陣,，可用作攝像管。使具有放大信號(hào)的功能,。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏,。控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵,。

表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料、C-N型硅材料,、D-P型硅材料,。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料,、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類(lèi)型,。P-普通管,、V-微波管、W-穩(wěn)壓管,、C-參量管,、Z-整流管、L-整流堆,、S-隧道管,、N-阻尼管、U-光電器件,、K-開(kāi)關(guān)管,、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）,、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場(chǎng)效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管,、PIN-PIN型管,、JG-激光器件。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上,。

振蕩,、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管,、磁敏晶體管,，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào),。此外，還有一些特殊器件,，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等,。在通信和雷達(dá)等***裝備中,，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào),。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展,，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高,，而噪聲系數(shù)不斷下降,。D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料,。黃浦區(qū)發(fā)展半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

（場(chǎng)效應(yīng)器件,、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管,、PIN型管,、激光器件的型號(hào)命名。虹口區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

集電極電流與基極電流之比稱(chēng)為共發(fā)射極電流放大系數(shù),。在共發(fā)射極電路中,，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng),。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類(lèi),。場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)）,，使具有放大信號(hào)的功能,。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏,?？刂茩M向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵,。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種：①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極),；②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）,；虹口區(qū)貿(mào)易半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

上海奧啟躍科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地,，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽(yù),，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易,，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向,，質(zhì)量是企業(yè)的生命,，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下,，團(tuán)結(jié)一致,，共同進(jìn)退，齊心協(xié)力把各方面工作做得更好,，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面,，公司的新高度，未來(lái)上海奧啟躍科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái),，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī),，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),，才能繼續(xù)上路,，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想,！