兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū),。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極,。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時,，發(fā)射結(jié)處于正向偏置,，集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,，這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù),。在共發(fā)射極電路中,，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類,。美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂,。徐匯區(qū)綜合半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料,。第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型,。P-普通管、V-微波管,、W-穩(wěn)壓管,、C-參量管、Z-整流管,、L-整流堆,、S-隧道管、N-阻尼管,、U-光電器件,、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W),、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）,、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管,、PIN-PIN型管,、JG-激光器件。浦東新區(qū)綜合半導(dǎo)體器件設(shè)備有什么如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,，JAN-軍級,、2-三極管。

開關(guān)用的 一般晶體管外,，還有一些特殊用途的晶體管,，如光晶體管、磁敏晶體管,，場效應(yīng)傳感器等,。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號,。此外,，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路,，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等,。在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度,、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號,。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,，工作頻率不斷提高,，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異,、體積小,、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo),、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 ,。

又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外,，還有一些特殊器件,，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路,，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等,。在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度,、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號,。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,，工作頻率不斷提高,，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異,、體積小,、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo),、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志,。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件,。

X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W),、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管,、J-階躍恢復(fù)管,、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件,、FH-復(fù)合管,、PIN-PIN型管、JG-激光器件,。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,，由五至七部分組成。通常只用到**個部分,，其各部分的符號意義如下：G-N控制極可控硅,、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管,、K-N 溝道場效應(yīng)管,、M-雙向可控硅。虹口區(qū)出口半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

除四個基本部分外,，有時還加后綴,，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。徐匯區(qū)綜合半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅,、鍺或砷化鎵,，可用作整流器、振蕩器,、發(fā)光器,、放大器、測光器等器材,。為了與集成電路相區(qū)別,，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié),。半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導(dǎo)體材料,、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多,、功能用途各異的多種晶體二極,，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波,、紅外直至光波,。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）,。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類,。徐匯區(qū)綜合半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

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