LED驅(qū)動(dòng)電路:專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)LED,通常包括恒流源電路,,以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作,。電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:包括直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向,。集成驅(qū)動(dòng)芯片:一些**集成電路(IC)可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),,例如用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋驅(qū)動(dòng)IC。在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),,需要考慮以下幾個(gè)方面:負(fù)載特性:了解負(fù)載的電流,、電壓和功率要求??刂菩盘?hào):確定控制信號(hào)的類型(如PWM信號(hào),、數(shù)字信號(hào)等)。保護(hù)措施:設(shè)計(jì)過(guò)流,、過(guò)壓,、過(guò)熱等保護(hù)電路,以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性,。閔行區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路哪家好
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,,這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度,。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,,偶然加主電高壓,,通過(guò)米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。對(duì)于大功率IGBT,,選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷,、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)壓降,、開(kāi)關(guān)時(shí)間,、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1,。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,,而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大,。在門極電路的設(shè)計(jì)中,還要注意開(kāi)通特性,、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問(wèn)題(見(jiàn)表1),。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線低邊驅(qū)動(dòng):通常用于將功率開(kāi)關(guān)器件連接在電源負(fù)極(地)一側(cè)。
IGBT 的開(kāi)關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,,其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor),。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示,,它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系,。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),,因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的,,在測(cè)量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),,在這種測(cè)量條件下,,所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。
非隔離驅(qū)動(dòng)電路:不具有電氣隔離結(jié)構(gòu),,多采用電阻,、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片,。按常見(jiàn)形式分類:直接驅(qū)動(dòng):由單個(gè)電子元器件(如二極管、三極管,、電阻,、電容等)連接起來(lái)組成的驅(qū)動(dòng)電路,多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合,。隔離驅(qū)動(dòng):電路包含隔離器件,,常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等,。**驅(qū)動(dòng)集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用***,,許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開(kāi)關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間,。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高,在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng),,而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng),。這些開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小,從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)電子設(shè)備的精確控制,。
?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,,并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),, N+ 區(qū)稱為源區(qū),,附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。隔離驅(qū)動(dòng):電路包含隔離器件,,常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等,。奉賢區(qū)通用驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線
顯示控制:驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),,以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備,;閔行區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路哪家好
3,、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開(kāi)關(guān)器件通斷快,,開(kāi)關(guān)損耗?。环粗畡t慢,,同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大,。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,,嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作,,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二,、柵極電阻的選取1,、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異,。初試可如下選?。翰煌放频腎GBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試,。2,、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,,一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。閔行區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路哪家好
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