若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞,。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。奉賢區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T,，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。青浦區(qū)挑選可控硅生產(chǎn)企業(yè)按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種,。

畫出它的波形圖，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，可控硅導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，可控硅導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓璧娜觞c：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。晶閘管特點“一觸即發(fā)”,。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通,。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷,。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么,，在電壓過零時，晶閘管會自行關(guān)斷,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。松江區(qū)質(zhì)量可控硅哪家好

小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。奉賢區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負(fù)載小，或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅， 可在自由空間工作,。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂,。奉賢區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

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