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普陀區(qū)質量可控硅哪家好

來源: 發(fā)布時間:2025-05-03

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點,。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅動器件,,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備,。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用,??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,,簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能,。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,,沒有反向耐壓問題,,因此特別適合做交流無觸點開關使用。反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),,俗稱耐壓,。普陀區(qū)質量可控硅哪家好

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控 制:Controlled(取***個字母)整流器:Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,,如:BCR1AM-12,、BCR8KM、BCR08AM等等,。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,,也是對雙向可控硅產品的型號命名,典型的生產商如:意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,,均以此來命名雙向可控硅。靜安區(qū)特點可控硅專賣店按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種,。

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耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓,。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,,作為允許的操作過電壓裕量,。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時,, 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。

晶閘管T在工作過程中,,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結構與符號。它屬于NPNP四層器件,,三個電極分別是T1,、T2、G,。因該器件可以雙向導通,,故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,用T1,、T2,。表示,不再劃分成陽極或陰極,。其特點是,,當G極和T2極相對于T1,的電壓均為正時,,T2是陽極,,T1是陰極。反之,,當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時,,T1變成陽極,,T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性,由于正,、反向特性曲線具有對稱性,,所以它可在任何一個方向導通。其中,,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,;

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可控硅有多種分類方法,。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導可控硅,、門極關斷可控硅(GTO),、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通。普陀區(qū)國產可控硅量大從優(yōu)

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管。普陀區(qū)質量可控硅哪家好

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,,應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,,它與結溫有關,,結溫越高, 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負載小,或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,, 可在自由空間工作,。 但大部分情況下,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,,為了減小熱阻,,可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂,。普陀區(qū)質量可控硅哪家好

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